Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOSTM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности.

IPP023NE7N3 G, с его типовым значением RDS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе.

BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением RDS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

 


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые 6000-вольтовые транзисторы CoolMOSTM C6 обладают всеми преимуществами быстроты коммутации MOSFET-транзисторов типа Super-Junction и, при этом, на настоящий момент предлагают лучшее отношение цена/качество на рынке. Более того, транзисторы C6 отличаются чрезвычайно малыми потерями проводимости и коммутации, что способствует повышению эффективности, улучшению тепловых режимов, уменьшению размеров и снижению массы.

Транзисторы CoolMOSTM C6 просты в применении. Они прекрасно подходят для использования в разнообразных каскадах преобразования энергии, в т.ч. каскады коррекции коэффициента мощности и широтно-импульсной модуляции. В семейство CoolMOSTM C6 входят современные транзисторы типа Super-Junction с множеством преимуществ, в т.ч. очень малые потери на емкостях и очень низкие значения RDS(ON), что способствует повышению эффективности, снижению габаритов и массы, а также улучшению тепловых режимов. В тоже время, существенно улучшены управление процессом коммутации и стойкость к паразитным индуктивностям и емкостям на плате.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Идентичный транзисторам PTFA092201E/F номинал мощности, но в корпусе меньшего типоразмера.

PTFA092211EL и PTFA092211FL – внутренне-согласованные полевые LDMOS-транзисторы мощностью 220Вт, предназначенные для работы в EDGE и WCDMA применениях в диапазоне частот 920…960МГц. Транзисторы выпускаются по перспективной технологии LDMOS компании Infineon и отличаются отличными тепловыми характеристиками и высокой надежностью.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

eUniStone – завершенный модуль сбора данных, совместимый со стандартом Bluetooth 2.0. Модуль поддерживает стек протоколов Bluetooth (запрограммирован в ПЗУ) и профиль последовательного порта SPP (запрограммирован в ОЗУ). Благодаря использованию для управления модулем интерфейса UART и простых AT-команд, достигается простота применения модуля и возможность его взаимодействия с отвечающей минимальным требованиями хост-системой. Кроме того, тот факт, что модуль сертифицирован на совместимость с Bluetooth и одобрен к применению организациями FCC и R&TTE, позволит существенно ускорить вывод продукции на рынок.

Экранированный модуль характеризуется малыми размерами посадочного места (всего лишь 8.7мм x 11.6мм), использует для подключения 54 контактных площадки с шагом 1.20 мм и совместим со свинцовыми и бессвинцовыми технологиями пайки.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новый диод для защиты от электростатических разрядов ESD5V3U4RRS настоятельно рекомендуется использовать в USB-интерфейсах, в которые легко проникают электростатические разряды, образованные в результате касания конечного пользователя или разъема другого устройства.

ESD5V3U4RRS размещен в корпусе SOT363 и интегрирует защиту от электростатических разрядов и переходных напряжений для четырех линий передачи данных и одной линии питания. По сравнению с решениями, выполненными на основе дискретных компонентов, например, полимерных супрессоров или варисторов, применение нового прибора позволит снизить количество компонентов, а также затраты на их установку и послемонтажный контроль.

Благодаря размещению в корпусе SOT363, который вдвое меньше наиболее часто используемого в USB-продукции корпуса SOT23-6, применение ESD5V3U4RRS позволит существенно снизить занимаемую на печатной плате площадь.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Передовое решение, сочетающее в одном корпусе драйвер реле и 8-битный микроконтроллер на базе ядра 8051.

В состав данных однокристальных решений релейных драйверов входит отладочная система OCDS (On-Chip Debug Support), использование которой позволит ускорить вывод продукции на рынок. В семейство продукции входит три ИС с объемом памяти программ от 16 до 32 кбайт. ИС оснащены LIN 2.0-совместимым приемопередатчиком, стабилизатором напряжения LDO-типа, а также двумя коммутаторами нижнего уровня (релейный драйвер) и источником питания датчиков Холла (например, TLE4966). Также предусмотрен дополнительный драйвер верхнего уровня для управления светодиодами.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

MIPAQ™base – одно из семейств новой линейки IGBT-модулей MIPAQ компании Infineon. В семейство MIPAQ™base входят модули:

  • IFS75B12N3T4_B31
  • IFS100B12N3T4_B31
  • IFS150B12N3T4_B31

Данные модули интегрируют 6-транзисторный каскад силового инвертора, дополненный терморезистором (NTC), в хорошо зарекомендовавшем себя корпусе EconoPACK™3 и рассчитаны на работу с номинальными токами 75, 100 и даже 150 ампер. Благодаря интегрированию токовых шунтов, исключается потребность в применении внешних датчиков тока или токовых шунтов. По сравнению с решением на основе внешних токовых шунтов, применение IGBT-модуля со встроенными шунтами позволит более эффективно отводить излучаемое шунтами тепло к общему радиатору, не создавая на печатной плате инвертора отдельных зон с повышенным тепловыделением. Кроме того, внешние токовые шунты, как правило, являются дорогостоящими компонентами и требуют для установки существенной площади на плате. Таким образом, применение модулей MIPAQ™base со встроенными шунтами позволит уменьшить размеры и себестоимость конечного решения, будет способствовать улучшению тепловых режимов на плате и обеспечит высокую точность измерений.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы