Самый малогабаритный в мире высокоинтегрированный модуль входного каскада для систем глобального позиционирования GPS

С размерами 2.5 x 2.5 x 0.7 мм, габариты модуля более чем на 60% меньше, чем ближайшие предлагаемые конкурентные аналоги соизмеримой степени интеграции. Модуль BGM781N11 включает в себя все необходимые компоненты для усиления GPS сигнала и фильтрации помех – предварительный фильтр, малошумящий усилитель (LNA, Low NoiseAmplifier) и пост-фильтр с повышенной устойчивостью к высоким электростатическим разрядам, при этом все реализовано в едином корпусе. Схема с применением BGM781N11 предполагает использование всего двух внешних элементов. В схеме радиочастотного входа модуля интегрирован узел сброса контактного электростатического заряда величиной до 8 кВ, что позволяет разработчикам без особых проблем добиваться выполнения требований по электростатической защите (обычно 8 кВ) в целевых устройствах без применения дополнительных узлов защиты от статического электричества.

Читать далее »

Компания Infineon расширила ассортимент мощных MOSFET-транзисторов OptiMOS^TM новыми 200- и 250-вольтовыми приборами с лидирующими характеристиками.

Использование 200- и 250-вольтовых транзисторов  OptiMOS^TM в выпрямительном каскаде 48-вольтовых источников питания позволит добиться уровня КПД свыше 95%. Это означает, что прирост КПД по отношению к типовым для текущего момента уровням, составит 2% (эквивалентно снижению потерь мощности до 30%). Технологии, по которым выполнены транзисторы, если сравнивать c аналогичными приборами, обеспечивают снижение сопротивления открытого канала R_DS(ON) до 50%, а Q_G (заряд затвора) — до 5%. Кроме того, новые транзисторы несут в себе ряд возможностей по снижению себестоимости системы. Благодаря более низкому сопротивлению канала, они могут работать с более компактным теплоотводом и с меньшим числом параллельно-включенных транзисторов, а, благодаря улучшенным динамическим характеристикам, упрощается процесс проектирования.

Читать далее »

TDA5150 (SmartLEWIS™) – однокристальный, сверхмаломощный, многодиапазонный и многоканальный АМн/ЧМн-передатчик для догигагерцевого ISM-диапазона.

С помощью всего лишь одной микросхемы и одного кварцевого резонатора на частоту из диапазона 12…14 МГц можно реализовать передатчик работающий на любой частоте из догигагерцевого ISM-диапазона, что создает предпосылки для снижения затрат на элементную базу и производство. Данная микросхема ориентирована на применения, где требуются минимальная разрешающая способность и скорость передачи до 100 кбит/сек. Программируемый формирующий гауссов фильтр способствует чрезвычайно точной ЧМн-модуляции. У микросхемы также предусмотрен вход подготовленных АМн-данных. Благодаря очень малому потреблению в дежурном режиме и интегрированию высокоэффективного усилителя мощности, передатчик TDA5150 идеален для использования в любых устройствах с батарейным питанием.

Читать далее »

Карбид кремния (SiC) – идеальный полупроводниковый материал для построения силовых электронных приборов, которые уверенно превосходят кремниевые (Si) и нитрид-галлиевые (GaN) силовые приборы.

SiC-диоды позволяют добиться рекордных коммутационных характеристик (практически полностью избавлены от потерь коммутации) и отличных характеристик проводимости, особенно при работе с напряжениями 600В и выше. Данные свойства позволяют установить новую рекордную планку по эффективности и снизить сложность импульсных блоков питания. Кроме того, благодаря увеличению диаметра пластины SiC-приборов, эта, прежде экзотическая и дорогостоящая технология, стала более доступной.

Читать далее »

Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOS^TM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности.

IPP023NE7N3 G, с его типовым значением R_DS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе.

BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением R_DS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения.

Читать далее »

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

Читать далее »

Новые 6000-вольтовые транзисторы CoolMOS^TM C6 обладают всеми преимуществами быстроты коммутации MOSFET-транзисторов типа Super-Junction и, при этом, на настоящий момент предлагают лучшее отношение цена/качество на рынке. Более того, транзисторы C6 отличаются чрезвычайно малыми потерями проводимости и коммутации, что способствует повышению эффективности, улучшению тепловых режимов, уменьшению размеров и снижению массы.

Транзисторы CoolMOS^TM C6 просты в применении. Они прекрасно подходят для использования в разнообразных каскадах преобразования энергии, в т.ч. каскады коррекции коэффициента мощности и широтно-импульсной модуляции. В семейство CoolMOS^TM C6 входят современные транзисторы типа Super-Junction с множеством преимуществ, в т.ч. очень малые потери на емкостях и очень низкие значения R_DS(ON), что способствует повышению эффективности, снижению габаритов и массы, а также улучшению тепловых режимов. В тоже время, существенно улучшены управление процессом коммутации и стойкость к паразитным индуктивностям и емкостям на плате.

Читать далее »

Идентичный транзисторам PTFA092201E/F номинал мощности, но в корпусе меньшего типоразмера.

PTFA092211EL и PTFA092211FL – внутренне-согласованные полевые LDMOS-транзисторы мощностью 220Вт, предназначенные для работы в EDGE и WCDMA применениях в диапазоне частот 920…960МГц. Транзисторы выпускаются по перспективной технологии LDMOS компании Infineon и отличаются отличными тепловыми характеристиками и высокой надежностью.

Читать далее »

eUniStone – завершенный модуль сбора данных, совместимый со стандартом Bluetooth 2.0. Модуль поддерживает стек протоколов Bluetooth (запрограммирован в ПЗУ) и профиль последовательного порта SPP (запрограммирован в ОЗУ). Благодаря использованию для управления модулем интерфейса UART и простых AT-команд, достигается простота применения модуля и возможность его взаимодействия с отвечающей минимальным требованиями хост-системой. Кроме того, тот факт, что модуль сертифицирован на совместимость с Bluetooth и одобрен к применению организациями FCC и R&TTE, позволит существенно ускорить вывод продукции на рынок.

Экранированный модуль характеризуется малыми размерами посадочного места (всего лишь 8.7мм x 11.6мм), использует для подключения 54 контактных площадки с шагом 1.20 мм и совместим со свинцовыми и бессвинцовыми технологиями пайки.

Читать далее »

Новый диод для защиты от электростатических разрядов ESD5V3U4RRS настоятельно рекомендуется использовать в USB-интерфейсах, в которые легко проникают электростатические разряды, образованные в результате касания конечного пользователя или разъема другого устройства.

ESD5V3U4RRS размещен в корпусе SOT363 и интегрирует защиту от электростатических разрядов и переходных напряжений для четырех линий передачи данных и одной линии питания. По сравнению с решениями, выполненными на основе дискретных компонентов, например, полимерных супрессоров или варисторов, применение нового прибора позволит снизить количество компонентов, а также затраты на их установку и послемонтажный контроль.

Благодаря размещению в корпусе SOT363, который вдвое меньше наиболее часто используемого в USB-продукции корпуса SOT23-6, применение ESD5V3U4RRS позволит существенно снизить занимаемую на печатной плате площадь.

Читать далее »