Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Новое поколение IGBT-транзисторов с высоким КПД и надёжностью для индукционных печей.

Новейшее поколение IGBT-транзисторов с обратной проводимостью от компании Infineon оптимизировано для соответствия требованиям, предъявляемым к индукционным печам. Среди моделй семейства RC-H5 разработчики смогут выбрать приборы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В, а также получить преимущества высокого КПД и надёжности без удорожания конечного продукта. Транзисторы с рабочим напряжением 1200 В и 1350 В предназначены для использования в однотактных схемах источников питания индукционных печей. Они обладают хорошим соотношением цена/производительность, результатом чего является общее снижение стоимости конечного продукта за счёт экономии средств на пассивных компонентах схемы.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Самое низкое значение сопротивления открытого канала, высокая плотность мощности и КПД

Данные MOSFET-транзисторы являются низковольтными мощными приборами с сопротивлением открытого канала до 2 мОм, выпускаемыми в безвыводных корпусах TO и выводных корпусах TO-220.

Обладая улучшенной на 30% добротностью (QG x RDS(ON)) и превосходными характеристиками переключения, данное семейство MOSFET-транзисторов обеспечивает высокую плотность мощности и КПД системы, особенно при использовании в легких транспортных средствах на электрической тяге, где требуется продолжительное время работы от аккумулятора, увеличение срока его службы и уменьшение времени его зарядки. Технология OptiMOS™ является наилучшим решением для миниатюризации систем, так как позволяет достичь высоких значений КПД при компактных размерах транзистора.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые силовые MOSFET-транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполенные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твердотельного освещения.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET-транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и легкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Высокая линейность, лучшие шумовые характеристики и низкие гармонические искажения

Малошумящие усилители, в том числе четырёхканальные, для сетей LTE находят всё большее применение в различных приложениях.

Подобно тому, как скорость передачи данных между машинными интерфейсами была увеличена на 96 % за счёт уменьшения уровня шума, более высокое усиление и линейность позволили разработчикам благодаря снижению потерь и улучшению соотношения сигнал-шум добиться увеличения скорости передачи до 300 Мбит/с. По сравнению с системами без малошумящих усилителей, применение новых LNA-усилителей, с размерами корпуса на 70% меньшими (1.1 мм x 0.7 мм), чем у предыдущего поколения устройств, позволит увеличить чувствительность системы на 3.4 дБ. Кроме того, высокая линейность обеспечивает оптимальный уровень сигнала даже при плохо изолированной антенне. 


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Компания Infineon представляет три новых модели семейства сильноточных полумостовых драйверов электродвигателей.

Как и предыдущее семейство, новые устройства серии NovalithIC™ содержат полу-мостовой каскад, состоящий из P-канального транзистора верхнего плеча и N-канального транзистора нижнего плеча, и схему управления. Драйверы обладают низким сопротивлением открытого канала и рассчитаны на рабочее напряжение до 40 В (предыдущее семейство поддерживала работу при напряжении до 28 В). Наличие в верхнем плече P-канального транзистора исключает необходимость применять схему накачки заряда, благодаря чему минимизируются электромагнитные помехи. Встроенная схема управления обеспечивает сопряжение выходного каскада с микроконтроллером по логическим уровням, осуществляет диагностику в режиме обратной связи по току, регулировку скорости нарастания выходного напряжения, а также функции защиты от перегрева, пониженного напряжения питания и короткого замыкания.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новое семейство транзисторов CoolMOS™ C7 от компании Infineon является революционным шагом вперёд в технологии производства этих приборов, обеспечивая самое низкое в мире сопротивление открытого канала RDS(ON), а благодаря низким потерям на переключение, повышенный КПД при любом уровне нагрузки.

Семейство транзисторов C7 оптимизировано для жестких режимов коммутации работы в таких схемах, как корректоры коэффициента мощности (CCM PFC), прямоходовые двухтактные преобразователи напряжения (TTF) и солнечные инверторы. Данные схемы могут являться составной частью устройств солнечной энергетики, серверов, телекоммуникационного оборудования и бесперебойных источников питания. Благодаря высокому значению пробивного напряжения сток-исток, равному 650 В, транзисторы имеют значительный запас надёжности при использовании в импульсных источниках питания и солнечных инверторах.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Решение «все-в-одном» от компании Infineon для разработки беспроводного электроинструмента

Набор включает в себя транзисторы на основе технологии OptiMOS™ с напряжением сток-исток 40/60 В, схему управления EiceDRIVER™ и микроконтроллер XMC1302 на базе ядра Cortex-M0TM.

Получите преимущества от использования инструментального набора для построения схемы управления электродвигателем мощностью 300 Вт посредством быстрого макетирования и тестирования, а также всесторонней технической поддержки. Завершенное системное решение для беспроводных электроинструментов позволяет разработать оптимизированную по размерам и стоимости схему с максимальной плотностью мощности и высокой энергоэффективностью. Системное решение компании Infenion на основе собственных MOSFET-транзисторов, драйверов и микроконтроллера позволит разработчикам снизить до 30% стоимости конечного продукта.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Высокая эффективность при низких потерях на переключение и проводимости.

Новая технология производства IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5 от компании Infineon позволяет говорить о том, что данный класс приборов может иметь непревзойдённую производительность и высокий КПД в мощных импульсных устройствах. Транзисторы на основе этой технологии оптимально подходят для применения в схемах корректоров коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях, которые в свою очередь используются в таких устройствах, как источники бесперебойного питания и инверторные сварочные аппараты.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Высокоточный датчик тока TLI4970 разработан на основе запатентованной компанией Infineon технологии Холла.

Концепция применения индуктивностей без сердечника позволяет значительно уменьшить размеры изделия по сравнению с существующими продуктами. Данный датчик тока является полностью цифровым решением, он не нуждается во внешней калибровке и его просто использовать. Дополнительно прибор имеет отдельный интерфейсный вывод (OCD), на который выводится сигнал в случае превышения измеряемым током заранее установленного порога. Компактный корпус QFN, размером 7.0 х 7.0 мм, позволяет применять стандартные техпроцессы поверхностного монтажа.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS™ в безвыводных корпусах от компании Infineon предназначены для использования в сильноточных устройствах и являются лучшим решением для систем управления высокой мощности. Безвыводной корпус TO отличается чрезвычайно компактными размерами, обеспечивает высокую эффективность и низкий уровень паразитного электромагнитного излучения.

Новые MOSFET-транзисторы в безвыводных корпусах поддерживают рабочий ток до 300 А и могут использоваться в таких устройствах, как электропогрузчики, лёгкие транспортные средства с электрическим приводом, электроинструменты, системы распределённого электропитания и телекоммуникационное оборудование. Современная кремниевая технология OptiMOS™ в сочетании с малым сопротивлением корпуса обеспечивают чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON). Это даёт возможность использовать меньшее количество параллельно включенных транзисторов для получения заданной нагрузочной способности и увеличить плотность мощности в различных сильноточных приложениях.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы