Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Компания Infineon Technologies представляет семейство радиочастотных переключателей на основе КМОП-технологии с монолитной подложкой для широкого спектра применений.

Радиочастотные ключи на основе КМОП-технологии с монолитной подложкой могут использоваться для работы с однополярными сигналами, распределяя их по многим линиям (например, ключи общего назначения, переключатели режимов и диапазонов и коммутаторы в различных антенных устройствах), с биполярными сигналами при распределении их по двум линиям (DPDT), а также в антенных модулях (ASM). Переключатели диапазонов с высокой линейностью и переключатели режимов необходимы в настоящее время для построения многорежимных и многодиапазонных схем, например, радиокаскадов мобильных телефонов, работающих в 16-ти и более диапазонах частот.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Высокочастотные транзисторы компании Infineon обеспечивают наилучшие рабочие характеристики, высокую гибкость применения, превосходное соотношение цена/производительность и позволяют разработчикам сократить время разработки конечного решения.

BFx843 — это малошумящие широкополосные NPN биполярные высокочастотные транзисторы. Устройства интегрируют цепь обратной связи, обеспечивающую предварительное согласование входа и выхода с 50-омной нагрузкой и высокую стабильность в условиях паразитных частотных модуляций, что позволяет существенно упростить разработку произвольных схем малошумящих усилителей (LNA). Выполненные по зарекомендовавшей себя технологии SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов, BFx843 поддерживают напряжение коллектор-эмиттер VCEO до 2.25 В и ток коллектора IC 55 мА. Транзисторы идеально подходят для применения в мобильных приложениях, где ключевым требованием является минимальный уровень энергопотребления. BFx843 оснащены схемой защиты от электростатических разрядов напряжением до 1500 В и чрезмерной мощности радиочастотного входного сигнала. Устройства доступны в промышленно стандартных корпусах SOT-343 и SOT-89, а также миниатюрном безвыводном TSLP-3-9, размером 1.0 мм х 0.6 мм 0.31 мм.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Технология изготовления IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™5 от компании Infineon меняет представление о понятии «лучший в своём классе устройств» и обеспечивает непревзойдённую эффективность в приложениях с жесткими условиями переключения.

Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Быстрые диоды идеально сочетаются с транзисторами семейств CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5

Компания Infineon впервые выходит на рынок высоковольтных сверхбыстрых диодов, предлагая приборы семейств Rapid 1 и Rapid 2 с обратным напряжением 650 В. Новое семейство Rapid является дополнением к ранее выпущенным компанией мощным диодам на напряжение 600/650 В, заполняя пробел между кремний-углеродными диодами и диодами, контролируемыми по эмиттеру.

Сочетая низкую стоимость и высокую эффективность, новые диоды предназначены для работы в устройствах с рабочими частотами от 18 до 100 кГц. Особенно хорошо они согласуются с транзисторами структур CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5 в схемах корректоров коэффициента мощности (PFC). Семейство диодов Rapid будет представлено в двух версиях (Rapid1 и Rapid2) моделями с максимальным обратным напряжением 650 В, тогда как существующие устройства поддерживают обратное напряжение не более 600 В.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

В любом устройстве с функцией навигации в системах GPS/GLONASS/COMPASS, будь то смартфон, мобильный навигатор, интеллектуальные часы или цифровая камера, необходим малошумящий усилитель для увеличения чувствительности приемника сигналов.

Сегодня большинство смартфонов, снабженных навигационными приложениями, по своим характеристикам – линейности, размерам и энергопотреблению – всё больше приближаются к автономным персональным навигаторам (PND). Все малошумящие усилители разрабатываются совместно с производителями навигационных приборов, чтобы максимально соответствовать критериям производительности и обеспечить быстрое и лёгкое проектирование конечного продукта.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Разработанный компанией Infineon техпроцесс диффузионной пайки уже был успешно использован в диодах третьего поколения. При изготовлении диодов последнего, пятого поколения был применён не только данный техпроцесс, но улучшенная технология тонкой подложки, что позволило получить приборы в более компактных корпусах с высокими температурными характеристиками и добротностью (QC x VF).

Благодаря новым диодам схемы коррекции коэффициента мощности, а также схемы повышающих преобразователей будут иметь более высокие значения КПД при любых значениях нагрузки. Повышение КПД удаётся получить за счёт того, что диоды имеют низкое значение накопленного заряда на емкости перехода (QC) и низкий уровень падения прямого напряжения (VF) из-за применения технологии снижения потерь на переходе CoolMOSTM. Кроме того, новые диоды, по сравнению с предыдущими поколениями приборов, обладают повышенным обратным напряжением – до 650 В.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые быстродействующие диоды в миниатюрном корпусе обеспечивают защиту высокоскоростного порта USB 3.0 от статических разрядов, сохраняя при этом качество полезного сигнала.

Универсальная последовательная шина (USB) стала промышленным стандартом для портативных устройств благодаря лёгкости подключения и использования. Шина USB 3.0 в 10 раз быстрее своего предшественника второго поколения и поддерживает скорость передачи данных до 5 Гбит/с. Кроме того, версия 3.0 потребляет на 70% меньше энергии. Однако у шины USB есть недостаток – высокая чувствительность к статическим разрядам. В некоторых случаях бывает достаточно одного прикосновения рукой к разъёму USB, чтобы возникший при этом ток от статического разряда вывел устройство из строя и сделал его неремонтопригодным.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Устройства семейства MIPAQ™ представляют собой IGBT-модуль в конфигурации sixpack с интегрированной схемой управления и цифровым датчиком температуры.

Интегрированный драйвер обеспечивает ряд защитных функций, а также гальваническую изоляцию, выполненную по технологии бессердечниковых трансформаторов компании Infineon. Отсутствие оптических изоляторов обеспечивает более продолжительное время стабильной работы IGBT-модуля. Модули IFS100(/150/200)V12PT4 семейства MIPAQ™ выполнены по новейшей технологии IGBT4, доступны в корпусе EconoPACK™ 4, поддерживают рабочее напряжение до 1200 В и ток коммутации 100 А, 150 А и 200 А, соответственно.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Сократите размеры и увеличьте эффективность вашего решения

Новое поколение силовых MOSFET-транзисторов компании Infineon на основе технологии OptiMOS™ с рабочим напряжением 40 В и 60 В оптимизированы для применения в синхронных выпрямителях импульсных источниках питания (SMPS) настольных компьютеров и серверов.

Новые транзисторы отлично подходят для широкого промышленного применения, включая схемы управления электродвигателями, инверторы солнечных панелей и высокочастотные импульсные DC/DC преобразователи. Эти 40- и 60-вольтовые устройства имеют не только самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала, но и обладают превосходными характеристиками переключения, критически важными для быстродействующих приложений.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Революционное семейство силовых транзисторов CoolMOS™ задает новые стандарты энергоэффективности

Технологический лидер среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, семейство CoolMOS™ позволяет значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии.

CoolMOS™ — история развития
Инновационная технология CoolMOS™ разрабатывалась для приложений, отвечающих всем современным требованиям по энергоэффективности и уровню энергопотребления в дежурном режиме. Так например, транзисторы CoolMOS™ используется в системах освещения и преобразователях солнечной энергии ведущих производителей, где требования по энергоэффективности являются одними из ключевых.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы