Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Высокопроизводительные силовые MOSFET-транзисторы для применения в приложениях с напряжениями до 650 В и токами до 20 A

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое семейство мощных MOSFET-транзисторов с улучшенной эффективностью работы, более быстрыми скоростями переключения для приложений, работающих в диапазоне напряжений до 650 В и токами до 20 А.

Новая серия транзисторов TK идеально подойдет для использования в новой и активно развивающейся сфере энергосберегающих приложений, включающую корректоры коэффициента мощности (PFC, Power Factor Correction) и осветительные балласты. В процессе создания новых силовых MOSFET-транзисторов компания Toshiba совмещала прогрессивные методы корпусирования наряду с последними -MOS VII полупроводниковыми технологиями.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Плата выполнена на основе микроконтроллера ARM CortexTM-M3 из семейства TMPM370

В состав нового набора BMSKTOPASM370 для векторного управления электродвигателем входят оценочная плата, внутрисхемный эмулятор, 18-вольтовый трехфазный вентильный двигатель, источник питания на напряжение 24В, а также исчерпывающий комплект программных инструментальных средств и документации.

Входящая в набор оценочная плата выполнена на основе высокопроизводительного и маломощного 32-битного микроконтроллера (МК) TMPM370FYFG. Данный МК выполнен на основе ядра ARM Cortex-M3, допускающий тактирование частотой до 80МГц. В его архитектуру входят разработанный компанией Toshiba программируемый драйвер электродвигателя PMD3+, векторный сопроцессор (VE), 12-битный АЦП и обширный набор устройств ввода-вывода и интерфейсов, позволяющих аппаратно реализовать точное векторное управление трехфазным электродвигателем с использованием датчиков положения или без них.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Этот новый p-канальный MOSFET-транзистор в ультраминиатюрном корпусе UF6 (2.1мм х 2.0мм) идеален для разнообразных низковольтных применений, где требуется коммутация постоянного тока не более 9.5А. Поскольку минимальное коммутируемое напряжение может составлять всего лишь 1.5В, данный транзистор можно без труда использовать в применениях с батарейным питанием.

SSM6J409TU – новый высококачественный одиночный p-канальный MOSFET-транзистор из обширного ассортимента низковольтных MOSFET-транзисторов компании Toshiba (насчитывает свыше 100 p- и n-канальных транзисторов).

SSM6J409TU способен коммутировать большие токи при напряжении всего лишь 1.5В, что делает его идеальным для использования в любых устройствах с батарейным питанием, а также в устройствах, где необходимо снижение коммутируемых напряжений в целях улучшения общесистемного энергопотребления.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.

Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы