Высокоэффективные MOSFET-транзисторы SiHx25N50E с напряжением сток-исток 500 В, выполненные на основе устройств второго поколения по технологии Суперперехода, являются дополнением к существующему семейству D с тем же напряжением сток-исток, созданных на базе высокопроизводительной планарной технологии.

Новые транзисторы поддерживают рабочий ток стока до 25 А и отличаются низким сопротивление открытого канала, равным 145 мОм. Они выпускаются в стандартных корпусах TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) и компактном, низкопрофильном TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E).

Читать далее »

Минимальный поверхностный путь тока утечки 10 мм, рабочее напряжение изоляции V_IORM 1414 В, максимальное импульсное напряжение изоляции V_IOTM 8000 В делают VOW3120 идеальным выбором для применения в высоковольтных схемах управления и/или в условиях с сильным уровнем загрязнения.

VOW3120 состоит из инфракрасного светодиода, оптически связанного с интегральной схемой силового выходного каскада. Оптрон идеально подходит в качестве драйвера затворов силовых IGBT и MOSFET транзисторов, применяемых в системах управления электродвигателями и инверторах напряжения. Высокий уровень выходного напряжения и тока оптрона позволяют напрямую управлять затворами IGBT-транзисторов с классом мощности до 1200 В / 100 А. Время задержки переключения логических уровней, составляющее 250 нс, и время нарастания/спада фронта импульса, равное 100 нс, позволяет применять VOW3120 в схемах высокочастотной коммутации. Малый ток потребления, не превышающий 2.5 мА, и широкий диапазон напряжения питания оптрона во многих случаях позволяет отказаться от использования дополнительного, дорогостоящего источника питания и снизить число внешних компонентов и стоимость конечного решения.

Читать далее »

Компания Vishay расширяет линейку интегральных синхронных понижающих преобразователей напряжения microBUCK®, представляя новую модель с выходным током до 4 А, устанавливаемой частотой преобразования до 1.5 МГц и широким диапазоном входного напряжения от 4.5 до 15 В.

SIP12109 включает силовой двухтактный каскад на MOSFET-транзисторах и поставляется в компактном 16-выводном корпусе QFN размером 3 мм x 3 мм. Основной областью применения устройства являются системы распределённого питания нагрузок, в том числе силовые компоненты шин питания 5 В и 12 В, используемые в промышленных и телекоммуникационных приборах с ограниченными габаритами. К другим областям применения относятся схемы питания сетевых процессоров, DSP процессоров, ПЛИС FPGA, специализированных СБИС (ASIC), карт памяти, дисплеев, цифровых ТВ-приставок, серверов.

Читать далее »

VSMY98545 – новый инфракрасный светодиод с длиной волны излучения 850 нм в компактном корпусе размерами 3.85 мм x 3.85 мм x 2.24 мм для поверхностного монтажа. Прибор выполнен по технологии поверхностного излучения кристалла SurfLight™, имеет встроенную линзу и отличается высокой интенсивностью радианного свечения, высокой оптической мощностью и низким тепловым сопротивлением.

VSMY98545 имеет площадь кристалла 42 мкм x 42 мкм, обладающим низким тепловым сопротивлением переход-вывод 10 K/Вт и способным работать при прямом токе до 1 А или импульсном токе до 5 А. Встроенная в светодиод линза обеспечивает угол половинной интенсивности свечения ±45°, за счёт чего достигается радианная интенсивность 350 мВт/стерадиан при прямом токе 1 А и 1600 мВт/стерадиан при импульсном токе 5 А. Это вдвое больше аналогичного параметра у светодиодов без линз.

Читать далее »

Еще большая плотность мощности при меньшем тепловыделении!

Новый N-канальный полевой транзистор, выполненный по новейшей технологии TrenchFET Gen IV® компании Vishay, позволяет упростить схему и значительно увеличить эффективность по сравнению с устройствами предыдущего поколения и конкурирующими решениями.

Сдвоенный асимметричный силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 30 В в корпусе PowerPAIR® отличается на 57% меньшим сопротивлением открытого канала, на 25% большей плотностью мощности и на 5% большей эффективностью по сравнению с устройствами предыдущего поколения, выпускаемых в этом корпусе. SiZ340DT от компании Vishay Siliconix позволяет снизить потери мощности, уменьшить и упростить схему синхронных понижающих преобразователей напряжения за счет интеграции транзисторов верхнего и нижнего плеча в одном компактном корпусе размером 3 х 3 мм.

Читать далее »

Малое падение прямого напряжения на диодах новой серии снижает потери мощности и увеличивает эффективность работы.

Компания Vishay Intertechnology расширяет ассортимент своих диодов с барьером Шоттки, выполненных по технологии Trench MOS TMBS®, 16-ю новыми устройствами с максимальным обратным напряжением 45 В, 50 В, 60 В, 100 В и 120 В, широким диапазоном рабочих токов от 10 А до 60 А и чрезвычайно малым падением прямого напряжения, ориентированными на применение в бытовых приборах и потребительской электронике. Диоды доступны в низкопрофильных корпусах SMPD, совместимых по посадочным местам со стандартным D2PAK (TO-263), но отличающихся меньшей высотой корпуса, составляющей всего 1.7 мм.

Читать далее »

SiR872ADP от компании Vishay отличается от устройств предыдущего поколения на 45% меньшим сопротивлением открытого канала и малым зарядом затвора, увеличивая плотность мощности современных DC/DC преобразователей.

Сопротивление открытого кнала R_DS(ON) транзистора SiR872ADP составляет 18 мОм при напряжении V_GS = 10 В и 23 мОм при напряжении V_GS = 7.5 В, а заряд затвора всего 22.8 нКл (тип.). Столь высокие характеристики R_DS(ON) и FOM (показатель добротности) обеспечивают снижение потерь на проводимость и переключения и как следствие увеличивают КПД системы. Обеспечивая лучшую производительность, чем большинство транзисторов предыдущего поколения, SiR872ADP потенциально позволяет снизить число необходимых компонентов и сложность конечного решения.

Читать далее »

Снижают потери на переключение в потребительских устройствах и источниках питания

Vishay Intertechnology представляет 10 выпрямительных диодов со сверх- и гипермалым временем восстановления, выполненных по технологии FRED Pt и монтируемых посредством пайки. Диоды выпускаются в корпусах типа SMA, SMB и SMC, впервые поддерживающие токи до 3 А, 3 А и 4 А, 4 А и 5 А, соответственно.

Новые диоды обладают чрезвычайно малым временем и плавной характеристикой восстановления, а также имеют низкое прямое падение напряжения и малый ток утечки. Они выполнены по технологии FRED Pt, позволяющей снизить потери на переключение, благодаря чему хорошо подходят для применения в потребительской электронике, ЖК-телевизорах, источниках питания и в электронных балластах для люминесцентных ламп.

Читать далее »

Ультранизкий профиль (0.8 мм), исключительно широкий угол диаграммы чувствительности (150°), дальность приема до 40 м

Компания Vishay Intertechnology расширила свой модельный ряд оптоэлектронных приборов новым семейством инфракрасных приемников для систем дистанционного управления, отличающихся лучшим в отрасли сочетанием компактных размеров и широкого угла диаграммы чувствительности. Так, высота корпуса TSOP57x составляет всего 0.8 мм при ширине угла диаграммы чувствительности 150°.

Кроме того, новые устройства отличаются высокой чувствительностью, характерной для приемников компании Vishay, что позволяет им уверенно принимать сигнал на расстоянии до 40 метров. Мировая тенденция уменьшения толщины ЖК дисплеев и плазменных телевизоров порождает требования разработчиков по уменьшению высоты профиля радиоэлектронных компонентов без ущерба для их рабочих характеристик.

Читать далее »

Компания Vishay Intertechnology расширила свой модельный ряд оптоэлектронных приборов новыми высокоскоростными кремниевыми p-i-n фотодиодами с высокой чувствительностью к излучению и малым временем переключения. Устройства доступны в прозрачных и черных эпоксидных пластиковых корпусах типа T-1.

Устройства TEFD4300 в прозрачных пластиковых корпусах предназначены для регистрации излучения инфракрасных и видимых источников света в диапазоне длин волн от 350 нм до 1120 нм. Для регистрации излучения инфракрасных источников света в диапазоне длин волн от 770 нм до 1070 нм предназначены устройства TEFD4300F, отличающиеся черными корпусами, являющимися оптическими фильтрами, подавляющими видимое излучение.

Читать далее »