Компания Vishay Intertechnology представила девять семейств низкопрофильных стандартных, быстродействующих и сверхбыстродействующих выпрямительных лавинных диодов в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа SMP и SMPC с рекордной величиной прямого тока до 4 А и энергией лавинного пробоя 20 мДж.

Демонстрируя превосходные показатели энергии лавинного пробоя (20 мДж), новые устройства доступны в корпусах SMP для поверхностного монтажа толщиной всего 1.0 мм (семейства AS1Px диодов стандартного быстродействия, AR1Px быстрых диодов, и AU1Px сверхбыстродействующих диодов). Устройства, рассчитанные на большие токи доступны в корпусах SMPC толщиной 1.1 мм (семейства AS3Px и AS4Px диодов стандартного быстродействия, AR3Px и AR4Px быстрых диодов, и AU2Px и AU3Px сверхбыстродействующих диодов).

Читать далее »

Компания Vishay Intertechnology представила шесть новых моделей быстродействующих выпрямительных диодов серии FRED Pt™ для потребительской электроники. Устройства рассчитаны на обратное рабочее напряжение до 600 В и ток до 8 А и отличаются исключительно малым прямым падением напряжения (1 В тип. при номинальном токе), малым временем восстановления (не более 16 нс в тяжелых условиях коммутации) и малым током утечки (не более 30 мкА при температуре +125°С).

Ориентированные на применение в импульсных источниках питания мощностью от 70 Вт до 400 Вт, новые диоды идеально подходят для построения энергоэффективных корректоров коэффициента мощности (PFC) в таких приложениях, как сетевые адаптеры ноутбуков и принтеров, настольные персональные компьютеры, телевизоры и мониторы, игровые приставки, а также в импульсных сетевых источниках питания DVD и Blu-Ray проигрывателей.

Читать далее »

Компания Vishay Intertechnology представила первое семейство 30-вольтовых силовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по вертикальной технологии нового поколения TrenchFET® Gen IV. Использование новой структуры кристалла с высокой плотностью компоновки ячеек обеспечивает SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN лучший в отрасли показатель сопротивления открытого канала: не более 1.35 мОм при напряжении на затворе 4.5 В, а также низкий общий заряд затвора (до 1.8 нКл). Транзисторы доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 и 1212-8.

Инновационные решения, использованные при разработке технологии TrenchFET, основываются на множестве патентов, включая фундаментальные технологические патенты, зарегистрированные в начале 1980-х годов.

Читать далее »

Новое семейство оптосимисторов без схемы контроля перехода напряжения через ноль компании Vishay Intertechnology отличается высокой помехоустойчивостью (до 1.5 кВ/мкс), а также позволяет разработчикам экономить место на печатной плате благодаря использованию компактных корпусов SOP-4.

Представленные устройства являются электрическим эквивалентом компонентов VO305x в SMD корпусах DIP-6, обеспечивая при этом экономию до 66% площади печатной платы при монтаже. Наряду с выпуском новых моделей VOM160xT и VOM305xT в корпусах SOP-4, компания Vishay также продолжит поставки устройств серии VO305x в корпусах DIP-6

Читать далее »

Компания Vishay представила новую серию ограничительных диодов (TVS) TRANSZORB® SMA6x в корпусах для поверхностного монтажа SlimSMA™ DO-221AC. Устройства отличаются чрезвычайно низким профилем 0.95 мм, высокой пиковой рассеиваемой мощностью до 600 Вт при форме импульса 10/1000 мкс и 4 кВт при 8/20 мкс, а также превосходными характеристиками защелкивания.

Устройства серии SMA6F на 50% тоньше традиционных устройств в корпусах SMA, при этом они совместимы по посадочным местам на печатной плате и обладают на 50% большей пиковой рассеиваемой мощностью при форме импульса 10/1000 мкс. Кроме того, напряжение защелкивания у SMA6F на 3% .. 9% ниже, чем у существующих ограничительных диодов в корпусах SMB.

Читать далее »

Компания Vishay представила 12 новых выпрямительных диодов с барьером Шоттки с рабочим напряжением 45 В, изготовленных по вертикальной технологии TMBS® и доступных в корпусах трех вариантов исполнения: TO-220AC, ITO-220AC и TO-263AB. Устройства имеют широкий диапазон рабочих токов от 10 А до 40 А в зависимости от модели и предназначены для использования в ячейках солнечных батарей в качестве защитных шунтирующих диодов.

Устройства отличаются крайне малым прямым падением напряжения — типовое значение 0.51 В при прямом токе 20 А.

Читать далее »

Компания Vishay объявила о выпуске новой серии высоковольтных n-канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рассчитанных на широкий диапазон токов от 7 А до 77 А (в зависимости от типа транзистора), отличающихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии (от 36 мОм до 600 мОм при напряжении на затворе10 В).

Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, представленные транзисторы серии E отличаются сверхнизким зарядом затвора и малым временем включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии. Благодаря использованию новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с устройствами предыдущего поколения серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Благодаря малым входным емкостям новых устройств также снижены потери мощности в цепи управления затвором.

Читать далее »

Genesis представляют собой завершенные интегрированные модули однофазного инвертора для фотоэлектрических преобразователей энергии. Модули обеспечивают ток до 50 А при рабочем напряжении до 600 В и предназначены для построения преобразователей мощностью от 2.5 до 6 кВА, эксплуатируемых в жилых помещениях.

Genesis — новейший серийный проект в линейке EBVchips. Под брендом EBVchips компания EBV Elektronik самостоятельно создает электронные компоненты, разработанные совместно со своими клиентами для их собственных нужд! Вся продукция производиться на заводах поставщиков компании EBV и полностью отвечает специализированным требованиям заказчика, неудовлетворенного параметрами стандартных компонентов. Данный сервис позволил EBV стать первым в мире дистрибьютором полупроводников, предлагающим такие услуги. Под брендом EBVchips клиентам предлагаются конкурентные преимущества, поскольку теперь они получают именно те продукты и технологии, которые необходимы для конкретных приложений.

Читать далее »

CNY64ST и CNY65ST – первые высоковольтные оптические изоляторы категории IV, доступные в корпусах для поверхностного монтажа, имеющие сертификат международного агентства регулирования безопасности VDE. Изделия имеют большую длину пути тока утечки и высокое испытательное напряжение изоляции. Предназначены для защиты работников и оборудования, используемого в высоковольтных средах, таких как солнечные электростанции и ветротурбинные энергетические сети.

Международной электротехнической комиссией (МЭК) определены стандарты защиты для четырех различных категорий электроустановок от I до IV. Категория IV отвечает самым строгим требованиям защиты, поскольку она включает в себя электрические соединения в потребительских сетях. Оптопары серии CNY6x категории IV обеспечивают защиту оборудования и людей от повреждения или ранения при воздействии одиночного импульса высокого напряжения до 12000 В и повторяющегося пикового напряжения до 1450 В, позволяя при этом осуществлять передачу данных с высоковольтной стороны оборудования на низковольтную сторону для мониторинга.

Читать далее »

Поддерживает работу на частотах свыше 1 МГц

SiC779CD — интегральное решение на основе технологии DrMOS (Driver-MOSFET), объединившее ШИМ-оптимизированную схему n-канальных полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей, полнофункциональный драйвер MOSFET-транзисторов и ограничительный диод в одном низкопрофильном, термостойком 40-выводном корпусе PowerPAK® MLP, размером 6 х 6 мм. Полностью отвечающая требованиям спецификации DrMOS 4.0, новая ИС SiC779CD обеспечивает частоту коммутации свыше 1 МГц и эффективность более 93%.

Передовая схема драйвера затвора, реализованная в SiC779CD, принимает сигнал от контроллера стабилизатора напряжения на единственный ШИМ-вход и преобразует его в сигналы управления затворами полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей. 5-вольтовый ШИМ-вход устройства совместим со всеми контроллерами и оптимизирован для работы с контроллерами, оснащенными ШИМ-выходом с тремя состояниями.

Читать далее »