Новый инфракрасный светодиод с экстремально высокой интенсивностью излучения, равной 600 мВт/ср, высокой оптической мощностью 55 мВт и скоростью переключения 10 нс.

Технология поверхностного излучения, используемая в инфракрасном светодиоде VSLY5850 компании Vishay, реализована в уникальной конструкции кристалла, в котором весь свет, генерируемый внутри полупроводника, излучается через верхнюю поверхность кристалла. Эта технология позволяет значительно снизить боковое излучение 5-ти миллиметрового T1¾ корпуса устройства, обеспечивая узкий, точно направленный луч без боковых возмущающих эмиссий. Параболическая линза светодиода обеспечивает очень узкий угол половинной мощности излучения, равный ± 3°.

Читать далее »

LVB1560 и LVB2560 — новые однофазные мостовые выпрямители в корпусе GSIB-5S с однорядным расположением выводов, отличающиеся пониженным, по сравнению с предыдущим поколением устройств, падением входного напряжения — до 0.73 В при +125°C — и высокой стойкостью к прямым токам перегрузки.

Малое падение входного напряжения 15-амперных (LVB1560) и 25-амперных (LVB2560) однофазных мостовых выпрямителей позволяет снизить потери мощности и повысить энергоэффективность и экономичность импульсных источников питания, применяемых в энергоэффективных настольных компьютерах, серверах, телекоммуникационном оборудовании, потребительской электронике и бытовой технике — холодильники, стиральные машины, кондиционеры, индукционные электроплиты.

Читать далее »

SiP32411, SiP32413 и SiP32414 — одно- и двухканальные, 2-амперные коммутаторы нагрузки с рабочим напряжением 1.1…5.5 В, отличающиеся малым сопротивлением открытого канала при напряжении 1.2 В для высокой эффективности и управляемым, плавным нарастанием выходного напряжения, составляющим 150 мкс (тип.) для минимизации помех переключения.

Одноканальный SiP32411 и двухканальные SiP32413 и SiP32414 коммутаторы нагрузки оснащены функцией управляемого плавного нарастания выходного напряжения при включении (типовое время включения 150 мкс), ограничивающей пусковые токи и минимизирующей помехи переключения. Устройства, поддерживающие ток нагрузки до 2 А на канал, характеризуются высокой эффективностью благодаря низкому сопротивлению открытого канала, равному 66 мОм при входном напряжении 1.2 В (105 мОм для SiP32411 в корпусе SC70-6).

Читать далее »

Новый n-канальный силовой (600 В, 47А ) MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO-247 и характеризуется очень малым сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора. SiHG47N60S отличается самым лучшим в своем классе значением произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала (показатель качества).

Транзистор идеально подходит для применения в схемах инверторов и полномостовых ШИМ-управляемых топологиях инверторов солнечных батарей и ветрогенераторов, телекоммуникационного и серверного оборудования, а также систем управления мощными электроприводами.

Читать далее »

Компания Vishay расширяет ассортимент оптоэлектронных устройств двумя инфракрасными приемниками, разработанных специально для жидкокристаллических очков-жалюзей, использующихся в составе комплектов для 3D телевидения.

ИК-приемники для поверхностного монтажа TSOP75D25 и TSOP35D25 предназначены для установки в активных 3D очках с целью приема ИК сигнала из телевизора и надлежащей синхронизации состояния ЖК-жалюзей (открыто/закрыто), создающей трехмерный эффект.

Читать далее »

Данные светодиоды белого цвета свечения хорошо подходят для организации обратной и прямой подсветки дисплеев и приборов в автомобильных, промышленных и бытовых приложениях.

Обладая высокой светоотдачей до 3550 мКд и малым термическим сопротивлением, семейства VLMW321xx и VLMW322xx имеют разные схемы соединений: либо три вывода катода и один анод, либо три вывода анода и один катод, благодаря чему обеспечивается максимальная гибкость применения.

Читать далее »

Первый силовой MOSFET-транзистор, выполненный по технологии ThunderFET^TM, направленной на снижение сопротивления открытого канала оптимизирован под использование в составе высоковольтных устройств. Новый ThunderFET^TM-транзистор SiR880DP является первым силовым MOSFET-транзистором класса 80 В с сопротивления открытого канала, регламентируемым для сигналов управления затвором уровнями 4.5 В. Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO-8 и обладает ультранизким сопротивления открытого канала.

SiR880DP оптимизирован для применений в качестве высоковольтного ключа в составе изолированных DC/DC преобразователей для дистанционного питания телекоммуникационных узлов. Очень низкое сопротивление открытого канала обуславливает возможность получение более экологичных и энергосберегающих решений, особенно в условиях небольшой нагрузки, таких как, например, в дежурном режиме. Возможность работы с уровнями управления 4.5 В благоприятна для высокочастотных применений ввиду существенно меньших потерь мощности на управление затвором, особенно в приложениях организации питания через локальную сеть (POL, Power Over LAN) где традиционно используются низковольтные и соответственно дешевые микросхемы 5 В ШИМ-конверторов. До сегодняшнего дня параметры сопротивления открытого канала для MOSFET-транзисторов приводились только для управляющих затворных напряжений уровнями 6 В или выше.

Читать далее »

Новые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы от компании Vishay Siliconix с низким сопротивлением открытого канала 0.555 Ом, максимальным напряжением на стоке 500 В и улучшенным зарядом затвора 48 нКл

Компания Vishay представляет три новых силовых MOSFET-транзистора на 500 В с ультранизким сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).

Низкое сопротивление открытого канала 0.555 Ом в N-канальных силовых MOSFET-транзисторах SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 позволяют повысить энергосбережение за счет снижения потерь на проводимость при использовании в широком кругу применений. Также наряду с вышесказанным заслуживает внимания значение заряда затвора 48 нКл.

Читать далее »

Уменьшенные вдвое габариты по сравнению с корпусом DPAK при тех же функциональных характеристиках

MOSFET-транзисторы в корпусах DPAK-SO8L, для применения в силовых цепях широкого круга мощных автомобильных устройств.

Коммутаторы систем впрыска инжекторных двигателей, стабилизаторы напряжения бортовой сети, управление тормозами – это только некоторые области применения этих силовых транзисторов. В данной серии присутствуют восемь различных типов компонентов, доступны как одноканальные транзисторы с N- и P- каналом, так и транзисторы с двумя каналами N-типа. Рабочие напряжения лежат в пределах от -12 В (P-канальные транзисторы) до 100 В (N-канальные транзисторы).

Читать далее »

TCPT1300X01 и TCUT1300X01 – первые в промышленности оптические проходные датчики, сертифицированные в соответствии с автомобильным стандартом AEC-Q101.

Детекторы имеют 1-й класс по влагостойкости (MSL, Moisture Sensitivity Level), что означает неограниченный срок годности и совместимы с требованиями бессвинцовой пайки. На данный момент доступны оба типа датчиков: одноканальный (скорость/перемещение) и двухканальный (скорость/перемещение/направление).

Читать далее »