16-канальные и 2х8-канальные CMOS-мультиплексоры. Новые улучшенные версии «B», позволяющие достичь наивысшей производительности.

DG506B является шестнадцатиканальным аналоговым мультиплексором с несимметричным питанием, выполняющим подключение одного из шестнадцати входов, адресуемых четырехразрядным двоичным кодом (A0, A1, A2, A3) к общему двуполярному выходу. DG507B представляет собой два восьмиканальных дифференциальных мультиплексора, функционирование каждого из которых заключается в подключении одного из восьми входов к общему для группы двуполярному выходу. Выбор канала осуществляется посредством трехбитного двоичного адресного кода (A0, A1, A2).

Читать далее »

SiC769CD — интегральное решение, включающее ШИМ-оптимизированные MOSFET-транзисторы (верхнее и нижнее плечо) и полноценную микросхему управления. SiC769CD обеспечивает постоянный выходной ток до 35 А и работает в диапазоне напряжений от 3 до 16 В.

SiC769CD включает в себя усовершенствованную схему управления MOSFET -транзисторами. Эта схема использует единственный сигнал ШИМ от управляющего контроллера и преобразует его в сигналы управления верхним и нижним плечами на MOSFET -транзисторах. Для улучшения работы при малых нагрузках в схеме драйвера применяется режим модуляции с пропуском импульсов.

Читать далее »

SMB1940X01 для дополнительной надежности выполнен в соответствии со стандартом AEC-Q101

Светодиод размещен в прозрачном неокрашенном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа и излучает свет длиной волны 940 нм. Он выполнен по технологии GaAlAs Double Hetero, которая обеспечивает высокую мощность излучения и высокое быстродействие. При уровне прямого тока 100 мА типовое значение выходной мощности составляет 40 мВт.

В паре с ним в качестве приемника могут работать фотодиод TEMD7100 или фототранзистор TEMT7100.

Читать далее »

600-вольтовый 8S2TH06I-M – современный тандемный выпрямительный диод со сверхбыстрым восстановлением!

Новый изолированный 2-выводной корпус TO-220 отличается рекордным значением теплового сопротивления, которое в сочетании с превосходными коммутационными характеристиками и малым прямым падением напряжения, позволяет работать диоду с постоянным током 8А при температуре 120°С.

Читать далее »

Характеризуются малой емкостью (типовое значение 0.8 пФ) и малым током утечки (менее 0.1 мкА)

Компания Vishay представила две новые компактные сборки для защиты от электростатических разрядов 2-х и 4-х линий. Они характеризуются малой емкостью и малым током утечки и предназначены для защиты высокоскоростных линий передачи данных от переходных напряжений. Новые 2- и 4-канальные сборки доступны в ультракомпактных корпусах LLP2513 и LLP1713 и характеризуются типовым значением емкости 0.8 пФ и током утечки не более 0.1 мкА.

Читать далее »

MOSFET-транзисторы верхнего и нижнего уровней объединены в одном компактном корпусе. Такое объединение MOSFET-транзисторов позволяет снизить размеры платы и улучшить рабочие характеристики по сравнению с вариантом использования двух дискретных транзисторов.

Благодаря объединению в одном компактном корпусе MOSFET-транзисторов верхнего и нижнего уровней (такая конфигурация используется в DC/DC-преобразователях) с идентичными двум дискретным транзисторам малым сопротивлением открытого канала и большим максимальным током, появляется возможность снизить размеры и себестоимость конечного решения.

Читать далее »

Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.

Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.

Читать далее »

Компания Vishay представила первый транзистор, который выполнен по технологии TurboFET^TM и использует новую структуру стока со сбалансированным зарядом, позволяющая снизить заряд затвора на 45% и, как следствие, снизить потери коммутации и повысить частоту преобразования.

Транзистор SiS426DN доступен в корпусе PowerPAK® 1212-8 (3 x 3 мм) и обладает самым низким в промышленности произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора среди транзисторов на аналогичное напряжение. Данное произведение является основным параметром для оценки качества MOSFET-транзисторов, применяющихся в DC/DC-преобразователях. У SiS426DN этот параметр равен 76.6 мОм х нКл при напряжении 4.5В и 117.60 мОм х нКл при напряжении 10В, при этом, типовое значение заряда затвора равно 13.2 нКл при 4.5В и 28 нКл при 10В.

Читать далее »

VLMW64 – один из самых надежных и эффективных светодиодов на рынке.

Малые размеры и широкий угол излучения делают данные светодиоды идеальным выбором для применения в устройствах подсветки дисплеев и индикации на лицевых панелях, особенно в тех случаях, когда малое занимаемое пространство является ключевым требованием. Светодиод размещен в керамическом корпусе, который обладает отличными тепловыми характеристиками и делает возможным повышение светового выхода за счет питания светодиода более высоким током при сохранении срока службы на высоком уровне (до 50 тыс. часов). Расположенный внутри корпуса отражатель заполнен смесью кремнийорганического соединения и люминофором TAG. Последний необходим для частичного преобразования синего излучения в желтое, которое смешиваясь с остатками синего излучения образует результирующее белое свечение.

Читать далее »