Новое семейство XMEGA™ компании Atmel составляют 8/16-битные микроконтроллеры с более высоким уровнем системных рабочих характеристик. Вычислительная мощность 32-битной архитектуры востребована не во всех применениях. В то же время ее использование часто приводит к ухудшению характеристик электромагнитной совместимости, а также к повышению затрат на разработку программного обеспечения и системы в целом. Применение 4-канального прямого доступа к памяти (ПДП) совместно с 8-канальной системой событий способно разгрузить процессор и, как результат, снизить энергопотребление и высвободить большее время ЦПУ для выполнения других частей программы. За один подход ПДП позволяет передать от 1 байта до 16 Мбайт данных между любыми участками памяти, расположенных в пространстве памяти данных. В свою очередь, система событий позволяет связать между собой сигналы встроенных устройств ввода-вывода в целях получения предсказуемой и избавленной от задержек системы.

Читать далее »

Оценочный набор Mini FX – простой и недорогой инструмент для оценки и разработки устройств сетевого управления типа LonWorks. Набор дает возможность всего за несколько минут выполнить настройки сети управления LonWorks, а также написать свою собственную базовую программу.

Mini FX подходит для тех, кому необходимо разобраться в возможностях популярной платформы LonWorks и разрабатывать новые устройства для быстро развивающегося и чувствительного к ценам массового рынка датчиков и исполнительных устройств. Разработчики могут использовать Mini FX автономно для создания базовых устройств, которые инсталлируют сами себя.

Читать далее »

Платформенную серию QorIQ P2 составляют коммуникационные процессоры P2020 и P2010, которые отличаются большим соотношением производительности одиночного потока к потребляемой мощности, что важно в разнообразных применениях, в т.ч. сетевые, телекоммуникационные, военные и промышленные. Серия выполнена на основе малопотребляющей платформы (технология 45 нм) и поддерживают частоты до 1.2 ГГц (одно и два ядра).

Серия QorIQ P2 состоит из двух- и одноядерных устройств, полностью совместимых по расположению выводов с платформой QorIQ P1 и предлагает 5 взаимозаменяемых, выгодных в ценовом плане решений. Имея доступ к совместимым по расположению выводов платформам QorIQ, от одноядерной P1011 на частоту 533МГц до двухядерной P2020 на частоту 1.2 ГГц, пользователь получает возможность до 4.5-кратного масштабирования агрегатной частоты.

Читать далее »

MOSFET-транзисторы верхнего и нижнего уровней объединены в одном компактном корпусе. Такое объединение MOSFET-транзисторов позволяет снизить размеры платы и улучшить рабочие характеристики по сравнению с вариантом использования двух дискретных транзисторов.

Благодаря объединению в одном компактном корпусе MOSFET-транзисторов верхнего и нижнего уровней (такая конфигурация используется в DC/DC-преобразователях) с идентичными двум дискретным транзисторам малым сопротивлением открытого канала и большим максимальным током, появляется возможность снизить размеры и себестоимость конечного решения.

Читать далее »

Этот новый p-канальный MOSFET-транзистор в ультраминиатюрном корпусе UF6 (2.1мм х 2.0мм) идеален для разнообразных низковольтных применений, где требуется коммутация постоянного тока не более 9.5А. Поскольку минимальное коммутируемое напряжение может составлять всего лишь 1.5В, данный транзистор можно без труда использовать в применениях с батарейным питанием.

SSM6J409TU – новый высококачественный одиночный p-канальный MOSFET-транзистор из обширного ассортимента низковольтных MOSFET-транзисторов компании Toshiba (насчитывает свыше 100 p- и n-канальных транзисторов).

SSM6J409TU способен коммутировать большие токи при напряжении всего лишь 1.5В, что делает его идеальным для использования в любых устройствах с батарейным питанием, а также в устройствах, где необходимо снижение коммутируемых напряжений в целях улучшения общесистемного энергопотребления.

Читать далее »

Серия NTD580xN была разработана для использования в приложениях, где требуются 40-вольтовые транзисторы с пониженным сопротивлением R_DS(ON). Благодаря малому R_DS(ON), появляется возможность оптимизации КПД и продления ресурса батареи питания. Все транзисторы NTD580xN размещены в корпусе для поверхностного монтажа DPAK, позволяя сэкономить место на плате. Они характеризуются напряжением пробоя 40В, что соответствует требованиям к стойкости к переходным процессам в автомобильной электросети. Семейство соответствует автомобильному стандарту AECQ101.

Преимущества:

• Улучшает КПД системы
• Возможность управления затвором малым напряжением
• Экономия размеров платы
• Отвечает требованиям RoHS

Читать далее »

Технология нового поколения Trench 6 обеспечивает более низкое R_DS(ON) по сравнению с предшествующими технологиями. Технология Trench 6 также обеспечивает более низкие значения заряда затвора (Q_G) и сопротивления цепи затвора (R_G) и, поэтому, созданные на её основе транзисторы смогут стать инструментом для повышения КПД и частоты преобразования напряжения.

NXP предлагает новые транзисторы T6 в корпусах LFPAK и TO220 на напряжения 25, 30, 40 и 80В. Их рекомендуется использовать в разнообразных промышленных и потребительских применениях, в т.ч. импульсные источники питания, DC/DC-преобразователи, устройства управления электродвигателями, системные блоки ПК и каскады распределения тока между параллельно-включенными источниками питания. Транзисторы Trench 6 отличаются более низким R_DS(ON), а также позволяют снизить потери коммутации за счет малого заряда затвора (Qg) и малого обратного восстановления (Q_RR). Если корпус LFPAK с посадочным местом Power-SO8 (5мм х 6мм) способен пропускать большие токи и обладает малым тепловым сопротивлением, то корпус TO220 идеален для применений, где необходим сквозной монтаж и установка на теплоотвод.

Читать далее »

По-настоящему автомобильный силовой корпус с посадочным местом SO8

Компания NXP предлагает автомобильные MOSFET-транзисторы в инновационном корпусе LFPAK. Его уникальная конструкция позволила получить надежный корпус с посадочным местом SO8, который обладает высокой тепловой эффективности и соответствует стандарту AEC Q101. В настоящее время доступны транзисторы с 30 различными значениями R_DS(ON) на напряжения от 30 до 100 Вольт.

MOSFET-транзисторы компании NXP, размещенные в корпусе LFPAK с улучшенными теплорассеивающими свойствами, оптимизированы для использования в автомобильной электронике с высокой плотностью мощности. Корпус LFPAK отличается уникальным сочетанием очень малого сопротивления корпуса, высокой надежности и отличных тепловых характеристик. При этом, корпус является еще и миниатюрным. Это означает, что его можно установить в любой части автомобиля, где это максимально необходимо.

Читать далее »

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

Читать далее »

Компания Fairchild предлагает новое семейство 30-вольтовых MOSFET-транзисторов с наименьшим сопротивлением R_DS(ON) для улучшения КПД каскадов преобразования постоянного напряжения. FDMS7650 в корпусе Power56 стал первым транзистором, который преодолел барьер в 1 мОм. Его максимальное значение R_DS(ON) составляет всего лишь 0.99 мОм, что способствует снижению потерь коммутации и улучшению общей эффективности.

FDMS7650, благодаря выполнению по улучшенной технологии PowerTrench®, способен добиться рекордно-низких значений R_DS(ON). Данная технология, помимо малых значений R_DS(ON), также обеспечивает пониженные значения общего заряда затвора (Q_G) и заряда емкости Миллера (Q_GD). Совместно данные улучшения позволят улучшить КПД силового каскада за счет минимизации потерь проводимости и коммутации.

Читать далее »