Данный N-канальный силовой MOSFET-транзистор рассчитан на напряжение пробоя до 600 В и имеет сопротивление открытого канала 0.65 Ом. Кроме малого сопротивление открытого канала сток-исток R_DS(ON), транзистор имеет повышенную скорость переключения, положительно отражающуюся на эффективности работы.

Преимущества применения:

• Улучшение производительности работы системы
• Более быстрое время включения
• Соответствие требованиям RoHS
• Надежность работы

Читать далее »

Силовые MOSFET-транзисторы, выполненные по технологии NexFET, отличаются вдвое меньшим зарядом затвора по сравнению с транзисторами с тем же сопротивлением открытого канала. Это даст разработчику возможность повышения КПД источника питания до уровня более 90%. Благодаря возможности управления транзисторами NexFET напряжением 5В могут быть снижены потери не только собственно в транзисторе, но и в драйвере затвора, что способствует улучшению надежности системы.

Понижающие DC/DC-преобразователи с синхронным выпрямлением широко используются в телекоммуникационных применениях, где необходима высокая нагрузочная способность источника питания. В таких применениях наиболее критичным элементом является силовой MOSFET-транзистор, т.к. именно от него зависит результирующий КПД DC/DC-преобразователя. КПД преобразования определяется двумя основными параметрами MOSFET-транзистора: заряд затвора и сопротивление открытого канала. Технология NexFET позволяет как минимум вдвое снизить заряд затвора (Q_G) по сравнению со стандартной продукцией, представленной на рынке. Более низкий заряд означает, что преобразователи смогут работать на более высоких частотах при сохранении на прежнем уровне потерь мощности или более эффективно на прежней частоте. Сориентироваться в выборе транзисторов NexFET поможет прилагаемая здесь таблица.

Читать далее »

Компания STMicroelectronics представила новую серию 30-вольтовых силовых транзисторов для поверхностного монтажа, которые достигают максимального значения сопротивления открытого канала всего лишь 2 мОм и, за счет этого, позволяют улучшить энергоэффективность такой продукции как компьютеры, телекоммуникационное и сетевое оборудование.

Благодаря применению технологии STripFET^TM VI DeepGATE^TM нового поколения, которая обеспечивает высокую эквивалентную плотность ячеек, компания ST достигла лучшего в промышленности значения R_DS(ON) по отношению к размерам кристалла. По сравнению с технологией предыдущего поколения достигнуто улучшение примерно на 20%, что позволит применять небольшие силовые корпуса для поверхностного монтажа в импульсных стабилизаторах и DC/DC-преобразователях. Технология также предоставляет преимущества малого заряда затвора, что дает возможность повысить частоту преобразования и, за счет этого, уменьшить размеры пассивных компонентов, в т.ч. дроссели и конденсаторы.

Читать далее »

Гибкая двухбанковая FLASH-память обеспечивает максимальную надежность при перепрограммировании приложений

Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске новой серии микроконтроллеров ARM® Cortex^TM-M3 с максимальной в отрасли производительностью. Микроконтроллеры серии LPC1800 оптимизированы для работы с низким энергопотреблением, как на сверхнизких частотах, так и с макимальным быстродействием до 150 МГц с исполнением кода программ из FLASH-памяти или ОЗУ.

Такая производительность обеспечивает максимальные возможности подключения и использования пропускной способности для широкого ряда ресурсоемких применений. Гибкая двухбанковая 256-битная FLASH-память может использоваться для одновременного выполнения операций чтения и записи, что дает возможность сохранить оригинальную копию программного обеспечения и защитить ее от сбоев при перепрограммировании, или выступать как один банк памяти. Микроконтроллеры LPC1800 также содержат два инновационных периферийных устройства – гибкий интерфейс quad-SPI и подсистему таймеров с функцией конфигурирования состояния.

Читать далее »

Микросхема EM773 на базе ядра Cortex-M0 стала первым в мире 32-битным ARM-решением для использования в счетчиках, не предусматривающих расчет размера оплаты

Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске микросхемы для счетчиков электроэнергии EM773 – первого в мире 32-битного решения на базе платформы ARM®, разработанного специально для счетчиков электроэнергии, не предусматривающих расчет размера оплаты.

Инфраструктура учета энергопотребления с использованием передовых методов (AMI) и «интеллектуальные счетчики» становятся все более популярными среди контролирующих органов и компаний-поставщиков коммунальных услуг, обеспечивая возможность внедрения более эффективных стоимостных моделей и тарифов, а также стимулируя потребителей к изменению режима потребления электроэнергии.

Читать далее »

Уменьшенные вдвое габариты по сравнению с корпусом DPAK при тех же функциональных характеристиках

MOSFET-транзисторы в корпусах DPAK-SO8L, для применения в силовых цепях широкого круга мощных автомобильных устройств.

Коммутаторы систем впрыска инжекторных двигателей, стабилизаторы напряжения бортовой сети, управление тормозами – это только некоторые области применения этих силовых транзисторов. В данной серии присутствуют восемь различных типов компонентов, доступны как одноканальные транзисторы с N- и P- каналом, так и транзисторы с двумя каналами N-типа. Рабочие напряжения лежат в пределах от -12 В (P-канальные транзисторы) до 100 В (N-канальные транзисторы).

Читать далее »

Процессор с фиксированной точкой выполнен на базе микропроцессорного ядра поколения DSP-процессоров TMS320C55x, характеризующегося высокой производительностью и малым энергопотреблением благодаря улучшенному механизму распараллеливания и применению всевозможных мер для достижения лучшего энергосбережения. Микропроцессор имеет внутреннюю шинную организацию, в состав которой входят одна программная шина, одна 32-битная шина чтения данных и две 16-битных шины чтения данных, две 16-битные шины записи данных и дополнительные шины для обмена с периферией и обеспечения работы в режиме прямого доступа к памяти (DMA, Direct Memory Access).

На данный момент доступны процессоры TMS3205505/4 с тактовой частотой до 150 МГц, являющиеся лучшими в классе по показателю потребления в активном/дежурном режимах. С использованием данных процессоров, разработчики имеют возможность создавать сверхмалопотребляющие устройства и приборы с питанием от батарей, при этом достигая более высокой производительности.

Читать далее »

Линейные стабилизаторы с высоким входным напряжением (-36 В), ультранизким уровнем пульсаций выходного напряжения (15.1 мкВ RMS, коэффициент подавления шумов источника питания (PSRR, Power Supply Rejection Ratio) 72 дБ) и максимальным выходным током нагрузки до 200 мА.

Данные линейные стабилизаторы имеют вход разрешения работы ENABLE с управлением логическим CMOS-уровнем, а также встроенную функцию мягкого старта, необходимую в специальных схемах управления питанием. Функция мягкого старта программируется навесным конденсатором. Дополнительными функциями защиты в аварийных режимах работы являются встроенная схема ограничения тока и защита от перегрева.

Читать далее »

Выполненное по технологии ARM926EJ-S, микропроцессорное семейство SPEAr® (structured processor enhanced architecture) предназначено для встраиваемых применений с жесткими требованиями по стоимости, начиная от компьютерной периферии и интерфейсных узлов, и заканчивая устройствами промышленной и бытовой автоматики. Данные микропроцессоры имеют широкие вычислительные и коммуникационные возможности, а также богатый набор периферии и возможностей повышения производительности.

Семейство состоит из трех представителей:

• SPEAr300, оптимизированы для организации человекомашинного интерфейса (HMI, Human-Machine Interface), IP-телефонии (VOIP, Voice Over Internet Protocol), охранных и бытовых приложений
• SPEAr310, оптимизированы для телекоммуникационных и сетевых приложений
• SPEAr 320, оптимизированы для промышленной автоматизации, принтерных и бытовых приложений

Читать далее »

Высокая степень интеграции для достижения высокой эффективности в блоках питания (PSU, Power Supply Unit)

Данная микросхема представляет собой сочетание корректора коэффициента мощности (PFC, Power Factor Corrector) и контроллера резонансного источника питания, и позволяет повышение эффективности в обширном круге применений для построения источников питания с широкими диапазонами входных напряжений.

В TEA1713 интегрирован полумостовой резонансный контроллер нового поколения с корректором коэффициента мощности. Микросхема осуществляет управление одним дискретным MOSFET-транзистором в составе повышающего преобразователя и двумя дискретными MOSFET-транзисторами в резонансной полумостовой конфигурации.

Читать далее »