Новые IGBT-транзисторы выполнены по надежной и недорогой архитектуре Field Stop II Trench, обеспечивающей высокую производительность в требовательных схемах коммутации за счёт низкого остаточного сопротивления и минимальных потерь на переключение.

Ниже перечислены параметры IGBT-транзисторов, одинаково хорошо подходящих для бесперебойных источников питания, солнечных инверторов и схем управления электродвигателями. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с малым падением прямого напряжения. Приборы серии L2 специально разработаны для схем управления двигателями, но также отлично подойдут для применения в сварочных аппаратах.

Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы выполнены по надёжной и недорогой Trench-технологии, отличаются низким остаточным напряжением в открытом состоянии и минимальными потерями на переключение, обеспечивая высокую производительность для требовательных импульсных приложений.

IGBT транзисторы выполняют функцию силовых ключей в схемах средней и большой мощности. Благодаря высокой скорости переключения, низкому остаточному напряжению в открытом состоянии, широкой зоне безопасной работы (SOA), лёгкости управления затвором и относительно малому температурному дрейфу параметров они имеют значительные преимущества перед MOSFET- и BJT-транзисторами.

Читать далее »

Новое семейство IGBT-транзисторов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой специально разработано для работы на низких частотах переключения от 50 Гц до 20 кГц.

Новый класс IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения V_CE(sat) можно встретить в источниках бесперебойного питания, солнечных инверторах и сварочных системах. Семейству приборов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой свойственны очень низкие потери на переключение, которые были дополнительно снижены за счёт оптимизации несущего профиля. При типовом значении напряжения V_CE(sat) = 1.05 В при температуре 25°C новые транзисторы позволяют увеличить КПД схемы на 0.1% в топологии NPC 1 и на 0.3% в топологии NPC 2 по сравнению с предыдущим поколением IGBT-транзисторов серии TRENCHSTOP. За счёт положительного температурного коэффициента напряжения V_CE(sat) высокое значение КПД сохраняется на одном уровне, что является образцовым промышленным показателем для ключей на IGBT-транзисторах, работающих на частотах ниже 20 кГц.

Читать далее »

«Повышайте КПД. Повышайте плотность мощности! Снижайте стоимость». Звучит знакомо?

Неустанное стремление к инновациям и снижению стоимости продолжается. Но где же пункт назначения? Там, где технология изготовления новых дискретных IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ объединяется с новейшим 4-выводным корпусом TO-247 с кельвин-эмиттером. Этот тандем обеспечивает 20%-е снижение индуктивности выводов за счёт наличия четвёртого вывода датчика тока с эмиттера. Также данная конструкция уменьшает на 20% потери на переключение во всем диапазоне нагрузок.

Читать далее »

Новое поколение IGBT-транзисторов с высоким КПД и надёжностью для индукционных печей.

Новейшее поколение IGBT-транзисторов с обратной проводимостью от компании Infineon оптимизировано для соответствия требованиям, предъявляемым к индукционным печам. Среди моделй семейства RC-H5 разработчики смогут выбрать приборы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В, а также получить преимущества высокого КПД и надёжности без удорожания конечного продукта. Транзисторы с рабочим напряжением 1200 В и 1350 В предназначены для использования в однотактных схемах источников питания индукционных печей. Они обладают хорошим соотношением цена/производительность, результатом чего является общее снижение стоимости конечного продукта за счёт экономии средств на пассивных компонентах схемы.

Читать далее »

Новое семейство IGBT-транзисторов с напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В, выполненных по технологии Field Stop Trench, имеет минимальные потери проводимости, благодаря чему напряжение насыщения V_CE(SAT) составляет 1.8 В, что значительно ниже, чем у предыдущего поколения быстродействующих транзисторов с планарным затвором — NPT IGBT.

Такое значение напряжения насыщения является одним из самых низких на рынке для приборов с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В. Высокая эффективность достигается за счет минимальных потерь на выключение (E_OFF), не превышающих 30 мкДж/А. Все устройства семейства содержат шунтирующий диод, оптимизированный для высочастотной коммутации.

Читать далее »

Этот биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) изготовлен по надёжной и эффективной по стоимости технологии Field Stop (FS) Trench.

Прибор обеспечивает высочайшую производительность в требовательных импульсных устройствах, обладая при этом низким остаточным напряжением и малыми потерями на переключение. IGBT-транзистор хорошо подходит для резонансных схем и каскадов с мягким режимом коммутации. Схема транзистора содержит шунтирующий диод с низким падением прямого напряжения.

Преимущества:

• Низкие потери проводимости
• Снижение рассеиваемой мощности системы

Читать далее »

Высокая эффективность при низких потерях на переключение и проводимости.

Новая технология производства IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5 от компании Infineon позволяет говорить о том, что данный класс приборов может иметь непревзойдённую производительность и высокий КПД в мощных импульсных устройствах. Транзисторы на основе этой технологии оптимально подходят для применения в схемах корректоров коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях, которые в свою очередь используются в таких устройствах, как источники бесперебойного питания и инверторные сварочные аппараты.

Читать далее »

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и интегрированным антипараллельным диодом для систем индукционного нагрева, электронного зажигания, фотовспышек, схем управления двигателями и других сильноточных импульсных приложений.

Транзистор изготовлен с применением надёжной и недорогой технологии Field Stop Trench и имеет высокую эффективность, что предопределяет его использование в схемах с жестким режимом коммутации, где он сможет продемонстрировать низкое остаточное напряжение коллектор-эмиттер и низкие потери на переключение. Кроме того, данный транзистор также подходит для применения в резонансных каскадах и схемах с мягким режимом коммутации.

Читать далее »

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для систем электронного зажигания, вспышек, управления двигателями и других сильноточных приложений с импульсным режимом работы.

Новый IGBT-транзистор выполнен на основе надёжной и эффективной по стоимости технологии Trench и обеспечивает максимальную эффективность при использовании в требовательных устройствах с импульсным режимом работы. NGTB50N60FWG отличается низким остаточным напряжением коллектор-эмиттер и минимальными потерями на переключение.

Читать далее »