Технология изготовления IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™5 от компании Infineon меняет представление о понятии «лучший в своём классе устройств» и обеспечивает непревзойдённую эффективность в приложениях с жесткими условиями переключения.

Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.

Читать далее »

IGBT транзисторы с замкнутым анодом (Shorted-Anode IGBT) обеспечивают высокую надежность и превосходные характеристики коммутации в системах индукционного нагрева высокой мощности.

Высокомощным и высокочастотным приборам индукционного нагрева для достижения максимальной эффективности необходимы минимальные потери на проводимость и превосходные характеристики коммутации. Новая серия IGBT-транзисторов на напряжения 1100…1400 В с внутренним встречно-параллельным диодом оптимизированы для приложений с плавным режимом переключения. Улучшенные, по сравнению с традиционной Non-Punch-Through (NPT) IGBT технологией, транзисторы с замкнутым анодом компании Fairchild требуют меньшего напряжения насыщения, чем NPT-trench IGBT транзисторы аналогичного класса мощности. Данная особенность обеспечивает лучшие температурные режимы работы, большую эффективность и меньшие потери мощности. Новые IGBT-транзисторы также можно использовать в других однотактных топологиях, например, в повышающей или понижающей, в сочетании с соответствующим быстро-восстанавливающимся диодом (FRD).

Читать далее »

Устройства семейства MIPAQ™ представляют собой IGBT-модуль в конфигурации sixpack с интегрированной схемой управления и цифровым датчиком температуры.

Интегрированный драйвер обеспечивает ряд защитных функций, а также гальваническую изоляцию, выполненную по технологии бессердечниковых трансформаторов компании Infineon. Отсутствие оптических изоляторов обеспечивает более продолжительное время стабильной работы IGBT-модуля. Модули IFS100(/150/200)V12PT4 семейства MIPAQ™ выполнены по новейшей технологии IGBT4, доступны в корпусе EconoPACK™ 4, поддерживают рабочее напряжение до 1200 В и ток коммутации 100 А, 150 А и 200 А, соответственно.

Читать далее »

Новые интегрированные силовые IGBT-транзисторы компании Toshiba Electronics с высокой скоростью переключения позволяют упростить разработку и уменьшить число компонентов в бытовой кухонной технике и других устройствах индукционного нагрева.

GT40QR21 оптимизированы для применения в резонансных инверторах сетевого напряжения, и представляют собой интегрированные в одном компактном корпусе силовой N-канальный IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В, производимый по запатентованной технологии Enhancement-Mode-Technology компании Toshiba, и шунтирующий безынерционный обратный диод.

Читать далее »

Компания Toshiba Electronics Europe расширила свое семейство IGBT-транзисторов для индукционных печей и других приложений силовых инверторов двумя новыми устройствами GT50JR21 и GT50JR22, рассчитанными на рабочее напряжение до 600 В и ток до 50 А и интегрирующими в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод.

Устройства оптимизированы для применения в индукционных печах и доступны в корпусах TO-3P(N), по размерам аналогичных корпусам TO-247. Данное семейство IGBT-транзисторов отличается высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока устройств 50 А, типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А составляет 1.5 В для GT50JR21 и 1.65 В для GT50JR22.

Читать далее »

Genesis представляют собой завершенные интегрированные модули однофазного инвертора для фотоэлектрических преобразователей энергии. Модули обеспечивают ток до 50 А при рабочем напряжении до 600 В и предназначены для построения преобразователей мощностью от 2.5 до 6 кВА, эксплуатируемых в жилых помещениях.

Genesis — новейший серийный проект в линейке EBVchips. Под брендом EBVchips компания EBV Elektronik самостоятельно создает электронные компоненты, разработанные совместно со своими клиентами для их собственных нужд! Вся продукция производиться на заводах поставщиков компании EBV и полностью отвечает специализированным требованиям заказчика, неудовлетворенного параметрами стандартных компонентов. Данный сервис позволил EBV стать первым в мире дистрибьютором полупроводников, предлагающим такие услуги. Под брендом EBVchips клиентам предлагаются конкурентные преимущества, поскольку теперь они получают именно те продукты и технологии, которые необходимы для конкретных приложений.

Читать далее »

Энергоэффективные интеллектуальные модули питания семейства CIPOS^TM от компании LS Power Semitech интегрируют ряд силовых и управляющих компонентов в одном компактном корпусе, позволяя увеличить надежность и оптимизировать размеры и стоимость конечного решения. Устройства позволяют упростить схему силового каскада и значительно сократить время вывода на рынок нового продукта.

Модули семейства CIPOS^TM ориентированы для управления электродвигателями переменного тока в приводах с изменяемой скоростью вращения с рабочими токами от 4 до 30 А, в таких приложениях, как кондиционеры воздуха, стиральные машины, пылесосы и компрессоры мощностью до 3 кВт. Конструкция корпуса специально адаптирована для мощных приложений, требующих максимально эффективного отведения тепла и надежной электрической изоляции, надежной системы управления в условиях высокого электромагнитного излучения, современного метода определения и сигнализации ошибок и защиты от перегрузок.

Читать далее »

Применение методов регулирования скорости электродвигателей как для снижения потребляемой исполнительными механизмами мощности, так и помех, отдаваемых в сеть маломощными приборами, такими как посудомоечные машины и другая домашняя техника, находит все большее применение в каждодневной практике. Для удовлетворения нужд данного современного направления, компанией STMicro сегодня выпущен на рынок новый IGBT-транзистор, предназначенный для работы в диапазоне небольших токов.

Новое устройство пополняет уже имеющиеся превосходные наборы для приложений управления электродвигателями. Имея все преимущества технологии APPT (Advanced Power Punch-Through) и встроенный ультрабыстрый восстанавливаемый диод, транзистор STGD3HF60HD демонстрирует идеально сбалансированные показатели статической и динамической производительности, снижающие общее энергопотребления устройства, а также низкую чувствительность характеристик компонента к изменениям температуры. Из параметров переключения следует отметить низкий пиковый ток при включении фазы и плавную кривую коллекторного тока при выключении фазы, что снижает уровень излучаемых электромагнитных помех.

Читать далее »

Новые интеллектуальные силовые модули (IPM-модули) — простое и компактное решение для управления высокоэффективными асинхронными электроприводами мощностью до 2 кВт.

Модули выполнены на основе 600-вольтовых IGBT-транзисторов, включенных по схеме 3-фазного мостового инвертора, а также микросхем драйверов затвора и антипараллельных диодов.

Встроенные схемы управления затвором и каскады защиты выполнены с особой продуманностью. Каждый модуль заменяет свыше 30 дискретных компонентов и, за счет этого, увеличивают надежность при одновременном снижении размеров и себестоимости.

Читать далее »

Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.

Изготовленное с учетом требований заказчиков новое семейство IGBT-транзисторов HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В предназначено для высокочастотных приложений с топологией как жесткого так и мягкого переключения, требуемых в оптимизированных силовых ключах.

Читать далее »