Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Компания STMicroelectronics представила семейство особо быстродействующих 600-вольтовых HF IGBT-транзисторов, выполненных по новой перспективной планарной технологии PT. Инновационный процесс двойного дрейфа (Double-Drift), основанный на новом профиле легирования, существенно снижает действующее сопротивление в области дрейфа и улучшает динамические характеристики. Примененная компоновка "Advanced Planar Strip Layout" позволила добиться улучшения стабильности и управляемости рабочих характеристик, особенно в области высоких температур.


Читать далее »

STGW30N120KD и STGW40N120KD – IGBT-транзисторы на напряжение 1200В и токи 30А и 40А, соответственно. Они предназначены для повышения энергоэффективности такого часто-используемого оборудования как бытовая техника, системы нагрева, вентиляции и кондиционирования воздуха, а также промышленные электроприводы. Новые транзисторы сочетают возможности работы при повышенных токах и напряжениях, отличную надежность и малые потери мощности, что стало возможным благодаря их выполнению по являющейся собственностью компании ST технологии PowerMESHTM.


Читать далее »

PM8834 интегрирует два универсальных, высокочастотных драйвера нижнего уровня для управления высокоемкостными MOSFET и IGBT-транзисторами.

Каждый из выходов PM8834 может быть независимо нагружен втекающим и вытекающим током 4А. Параллельным соединением выходов можно добиться повышения нагрузочной способности.

Для раздельного управления активностью каналов у PM8834 предусмотрено два входа разрешения работы.

PM8834 рассчитана на работу с КМОП/ТТЛ-совместимым ШИМ-сигналом.

PM8834 доступна в 8-выводных корпусах SO8 (PM8834) и VFDFPN8 3 x 3 мм (PM8834Q).


Читать далее »

NCP5106 – высоковольтная ИС драйвера затвора с двумя выходами для непосредственного управления двумя n-канальными мощными MOSFET- или IGBT-транзисторами.

Данные драйверы предназначены для управления полумостовыми коммутаторами или любыми другими коммутаторами, где имеются верхний и нижний уровни. Для создания надлежащего напряжения управления коммутатором верхнего уровня применяется технология «Bootstrap». Драйвер NCP5106 доступен в двух версиях: версия А, которая совместима со всеми топологиями, и версия B с дополнительной возможностью защиты от сквозной проводимости, что важно для полумостовых коммутаторов.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на NCP5106A и NCP5106B (англ.)

MIPAQ™base – одно из семейств новой линейки IGBT-модулей MIPAQ компании Infineon. В семейство MIPAQ™base входят модули:

  • IFS75B12N3T4_B31
  • IFS100B12N3T4_B31
  • IFS150B12N3T4_B31

Данные модули интегрируют 6-транзисторный каскад силового инвертора, дополненный терморезистором (NTC), в хорошо зарекомендовавшем себя корпусе EconoPACK™3 и рассчитаны на работу с номинальными токами 75, 100 и даже 150 ампер. Благодаря интегрированию токовых шунтов, исключается потребность в применении внешних датчиков тока или токовых шунтов. По сравнению с решением на основе внешних токовых шунтов, применение IGBT-модуля со встроенными шунтами позволит более эффективно отводить излучаемое шунтами тепло к общему радиатору, не создавая на печатной плате инвертора отдельных зон с повышенным тепловыделением. Кроме того, внешние токовые шунты, как правило, являются дорогостоящими компонентами и требуют для установки существенной площади на плате. Таким образом, применение модулей MIPAQ™base со встроенными шунтами позволит уменьшить размеры и себестоимость конечного решения, будет способствовать улучшению тепловых режимов на плате и обеспечит высокую точность измерений.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы