Новые 6000-вольтовые транзисторы CoolMOS^TM C6 обладают всеми преимуществами быстроты коммутации MOSFET-транзисторов типа Super-Junction и, при этом, на настоящий момент предлагают лучшее отношение цена/качество на рынке. Более того, транзисторы C6 отличаются чрезвычайно малыми потерями проводимости и коммутации, что способствует повышению эффективности, улучшению тепловых режимов, уменьшению размеров и снижению массы.

Транзисторы CoolMOS^TM C6 просты в применении. Они прекрасно подходят для использования в разнообразных каскадах преобразования энергии, в т.ч. каскады коррекции коэффициента мощности и широтно-импульсной модуляции. В семейство CoolMOS^TM C6 входят современные транзисторы типа Super-Junction с множеством преимуществ, в т.ч. очень малые потери на емкостях и очень низкие значения R_DS(ON), что способствует повышению эффективности, снижению габаритов и массы, а также улучшению тепловых режимов. В тоже время, существенно улучшены управление процессом коммутации и стойкость к паразитным индуктивностям и емкостям на плате.

Читать далее »

SupreMOS — новое семейство MOSFET-транзисторов типа Super-Junction

MOSFET-транзисторы типа Super-Junction позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства — FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр R_DS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N — 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной стойкостью к dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Читать далее »

Компания Vishay представила первый транзистор, который выполнен по технологии TurboFET^TM и использует новую структуру стока со сбалансированным зарядом, позволяющая снизить заряд затвора на 45% и, как следствие, снизить потери коммутации и повысить частоту преобразования.

Транзистор SiS426DN доступен в корпусе PowerPAK® 1212-8 (3 x 3 мм) и обладает самым низким в промышленности произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора среди транзисторов на аналогичное напряжение. Данное произведение является основным параметром для оценки качества MOSFET-транзисторов, применяющихся в DC/DC-преобразователях. У SiS426DN этот параметр равен 76.6 мОм х нКл при напряжении 4.5В и 117.60 мОм х нКл при напряжении 10В, при этом, типовое значение заряда затвора равно 13.2 нКл при 4.5В и 28 нКл при 10В.

Читать далее »

FCP22N60N обладает малыми R_DS(ON) (165 мОм) и зарядом затвора (14.5 нКл), что ориентирует его на применение в источниках питания.

MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO220 и изолированном корпусе TO220F. Максимальная скорость нарастания напряжения составляет 100 В/нс для MOSFET-транзистора и 20 В/нс для внутреннего диода. Ключевые области применения транзистора: каскады коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи.

Читать далее »

PM8834 интегрирует два универсальных, высокочастотных драйвера нижнего уровня для управления высокоемкостными MOSFET и IGBT-транзисторами.

Каждый из выходов PM8834 может быть независимо нагружен втекающим и вытекающим током 4А. Параллельным соединением выходов можно добиться повышения нагрузочной способности.

Для раздельного управления активностью каналов у PM8834 предусмотрено два входа разрешения работы.

PM8834 рассчитана на работу с КМОП/ТТЛ-совместимым ШИМ-сигналом.

PM8834 доступна в 8-выводных корпусах SO8 (PM8834) и VFDFPN8 3 x 3 мм (PM8834Q).

Читать далее »

Применение n-канальных MOSFET-транзисторов PT7 позволяет улучшить эффективность, уменьшить колебательность переходных процессов по нарастающему фронту в узле коммутации и, самое главное, добиться соответствия требованиям к энергоэффективности!

Мощные MOSFET-транзисторы выпускаются по оригинальной технологии PowerTrench, которая обеспечивает сочетание малых значений заряда затвора и сопротивления RDS(ON) и высокой частоты коммутации. Транзисторы также отличаются превосходным значением обратного восстановления встроенного диода и размещением в ультракомпактном корпусе Power56.

Читать далее »

Инновационная 650-вольтовая технология

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, позволяющая снизить потери мощности в энергоэффективных источниках питания. С её помощью становится возможным создание решений с более низким потреблением энергии и с наименьшим сопротивлением открытого канала по сравнению с использованием любых других сопоставимых по мощности MOSFET-транзисторов (для данного класса напряжения). Эта технология является самой эффективной среди доступных на рынке и позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в силовых каскадах электропитания ПК, телевизионной техники, бытовой техники и другой подобной продукции. К числу прочих областей применения относятся возобновляемые источники энергии, где ощущается проблема избыточных потерь мощности в силовых модулях. Типичный пример таких применений — силовые инверторы для солнечных батарей.

Читать далее »

NCP5106 – высоковольтная ИС драйвера затвора с двумя выходами для непосредственного управления двумя n-канальными мощными MOSFET- или IGBT-транзисторами.

Данные драйверы предназначены для управления полумостовыми коммутаторами или любыми другими коммутаторами, где имеются верхний и нижний уровни. Для создания надлежащего напряжения управления коммутатором верхнего уровня применяется технология «Bootstrap». Драйвер NCP5106 доступен в двух версиях: версия А, которая совместима со всеми топологиями, и версия B с дополнительной возможностью защиты от сквозной проводимости, что важно для полумостовых коммутаторов.

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на NCP5106A и NCP5106B (англ.)

Транзисторы PolarPAK® позволяют добиться максимальной эффективности DC/DC конвертеров.

Инновационный корпус PolarPAK станет настоящим прорывом в области технологий монтажа силовых приборов, т.к. он обеспечивает одинаково высокоэффективное рассеивание мощности верхней и нижней частями корпуса. Данная особенность делает транзисторы PolarPAK идеальным выбором для разработчиков, которым необходимо добиться улучшения тепловых режимов при коммутации повышенных токов.

Разработанный STMicroelectronics корпус PolarPAK несет в себе множество конкурентных преимуществ. Он на 50% тоньше корпуса SO-8, отличается улучшенной защитой кристалла и обеспечивает снижение результирующих размеров конечного решения. Отсутствие внутри корпуса проводного подключения к кристаллу и, как следствие, исключение паразитных индуктивностей внутри транзистора, обеспечит снижение излучаемого схемой шума. Кроме того, за счет независимости конструкции посадочного места от размеров кристалла, достигается максимальная гибкость проектирования, т.к. на одну и ту же печатную плату могут быть установлены различные MOSFET-транзисторы PolarPAK.

Читать далее »

Надежность и безопасность для ваших преобразователей напряжения светотехнических устройств и импульсных источников питания!

Недавно представленная технология SuperMESH3, которая обеспечивает более низкие сопротивления открытого канала МОП-транзистора, позволит снизить потери в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Благодаря отличной стойкости к быстрому нарастанию напряжению и более существенному запасу по напряжению пробоя, применение новых транзисторов позволит улучшить надежность и безопасность продукции.

Первыми на рынке появятся 620-вольтовые транзисторы STx6N62K3, а за ними последуют еще одна 620-вольтовая серия STx3N62K3 и 525-вольтовые серии STx7N52K3 и STx6N52K3. МОП-транзистор STD6N62K3 в корпусе DPAK при напряжении 620В позволит снизить сопротивление открытого канала на величину до 1.28 Ом, а STD7N52K3 при напряжении 525В – на 0.98 Ом. Это позволит повысить КПД преобразования в таких применениях, как электронные балласты низкоэнергетических ламп.

Читать далее »