Устройства обеспечивают возможность использования как нижней, так и верхней поверхности стандартного промышленного корпуса PQFN для охлаждения транзистора!

По сравнению с предшественниками, новые транзисторы обладают увеличенным двухсторонним теплорассеянием и низкими значениями паразитных параметров, что при использовании дополнительного теплоотвода позволяет добиться впечатляющих результатов. Лабораторные исследования показали, что применение транзистора в корпусе с двухсторонним охлаждением и размещение его на дополнительном радиаторе, равно как и без такового, позволяет значительно повысить выходной ток и плотность мощности синхронных понижающих преобразователей напряжения при малом увеличении температуры рассеиваемого теплого потока прибора.

Читать далее »

Новые MOSFET-транзисторы серии EF обеспечивают высокую надежность и экономию энергии в схемах с мягким режимом переключения.

Новые транзисторы, выполненные по технологии суперперехода второго поколения, являются дополнением к существующей стандартной серии устройств E и предназначены для использования в схемах с «мягким» режимом переключения и с переключением при нулевом напряжения: мостовых схемах со сдвигом фазы и резонансных полумостовых LLC-преобразователях.

Читать далее »

SQJQ402E первым в отрасли прошел сертификацию по автомобильному стандарту AEC-Q101 среди MOSFET-транзисторов, выпускаемых в корпусе PowerPAK, который, по сравнению с корпусами D2PAK и DPAK, отличается меньшей самоиндукцией и обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала.

Для автомобильных приложений часто требуется применять несколько транзисторов, установленных в одном модуле, поскольку каждый из компонентов модуля рассчитан на относительно небольшой ток. Это приводит к увеличению габаритов и стоимости решения. Транзистор SQJQ402E способен решить данную проблему, поскольку в отличие от устройств в 3-выводных корпусах D2PAK, имеет на 60% меньшие габаритные размеры и поддерживает более высокий постоянный ток стока. Также по сравнению с транзисторами в корпусе DPAK, устройство позволяет снизить тепловыделение за счет в 2 раза меньшего сопротивления открытого канала и вдвое увеличить ток стока, отличаясь при этом на 21% меньшей высотой корпуса и всего на 12% большей площадью монтажа.

Читать далее »

Транзисторы предназначены для использования в сетевых узлах передачи данных, системах телекоммуникаций и промышленных приложениях.

Отличительные особенности:

• Компактные размеры: 5 мм x 6 мм
• Корпус UDFN с открытой площадкой стока для наилучшего отвода тепла, доступна версия в низкопрофильном корпусе UDFN размером 1.6 мм x 1.6 мм x 0.55 мм для устройств с ограниченными габаритами (NTLUS4C16N)
• Низкое сопротивление открытого канала R_{DS(ON) минимизирует потери проводимости}
• Низкий заряд затвора Q_G и его емкость уменьшают потери в драйвере
• Прибор прошёл сертификацию по автомобильному стандарту AEC−Q101 и по методике PPAP (процесс одобрения компонента к производству) (NVMFS5C442NL, NVMFS5C404NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL и NVMFS5C646NL)
• Версия корпуса со «смачиваемыми фланцами» для упрощения процесса оптического контроля при пайке (NVMFS5C442NLWF, NVMFS5C404NLWF, NVMFS5C604NLWF, NVMFS5C612NLWF, NVMFS5C646NLWF и NTMFS5C612NLWF)
• Конструкция прибора не содержит свинец, галоидные соединения и бромсодержащий антипирен, что соответствует требованиям директивы RoHS (только серии NTMFS6BxxN и NTLUS4C16N)

Читать далее »

Транзисторы отлично подходят для устройств с питанием от аккумуляторной батареи и схем управления коллекторными и бесколлекторными двигателями постоянного тока, которые используются в мощных инструментах, легких электромобилях и электровелосипедах, где необходима высокая энергоэффективность.

Новая архитектура устройства, с увеличенной контактной площадкой истока, обеспечивает снижение теплового сопротивления между транзистором и печатной платой и дает возможность масштабировать схему решения в соответствии с требованиями конкретного приложения.

Читать далее »

Новые транзисторы CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В от компании Infineon обладают в два раза меньшей энергией выключения (E_OFF) по сравнению с приборами предыдущей серии CoolMOS^TM CP, обеспечивая уровень быстродействия, сопоставимый с транзисторами из нитрида галлия, в таких схемах как корректоры коэффициента мощности, двухтактные прямоходовые преобразователи и других приложениях с жестким режимом переключения.

Приложения, для которых критичным параметром является КПД и общая стоимость владения (TCO), будут иметь преимущество при использовании новых транзисторов CoolMOS™ C7. Кроме того, получение максимального КПД при полной нагрузке и снижение стоимости продукта станет возможным благодаря использованию для данного транзистора 4-выводного корпуса TO-247. Это достигнуто за счет уменьшения сопротивления открытого канала R_DS(ON) до величины, меньшей, чем у традиционных транзисторов в 3-выводном корпусе (40 мОм против 70 мОм). Удвоенная рабочая частота переключения приведет к снижению затрат на магнитные компоненты: до 30% на медной обмотке и до 45% на материале сердечника.

Читать далее »

NTP8G202N представляет собой каскодный силовой N-канальный MOSFET транзистор из нитрида галлия с напряжением сток-исток 600 В, имеющий остаточное сопротивление открытого канала 290 мОм и выполнен в корпусе TO-220. Аналогичная модель данного прибора — NTP8G206N – обладает остаточным сопротивлением 150 мОм.

Нитрид-галлиевые (GaN) MOSFET транзисторы обеспечивают значительное увеличение производительности для импульсных источников питания и других приложений, для которых высокие значения КПД и плотности мощности являются критическими характеристиками. По сравнению с кремниевыми устройствами, полупроводниковые компоненты на основе нитрида галлия имеют меньшее время переключения и пониженное остаточное сопротивление канала. Их применение делает конечные продукты компактными, лёгкими и исключает использование громоздких систем охлаждения.

Читать далее »

Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ имеют множество функций, обеспечивающих их защиту от перегрева, короткого замыкания, перегрузок по току и электростатических разрядов.

Семейство транзисторов HITFET™ может масштабироваться по остаточному сопротивлению открытого канала R_DS(ON) и типу корпусов, а также набору функций, например, диагностики или защелкивания с автоматическим перезапуском в условиях аварийных состояний. Такая масштабируемость позволяет легко варьировать транзисторы в завершенной системе в зависимости от требований конкретного приложения. «Где бы Вам не понадобился MOSFET-транзистор со встроенной защитой — транзисторы HITFET™ являются исключительно правильным выбором!»

Читать далее »

Семейство интеллектуальных силовых модулей компании Fairchild представляет собой линейку полностью интегральных устройств нового поколения в сверхкомпактном корпусе, включающих MOSFET-транзистор и схему управления. Приборы предназначены для применения в синхронных понижающих преобразователях постоянного напряжения с высоким значением рабочей частоты и выходного тока.

FDMF3035 и FDMF3037 интегрируют схему драйвера с вольтодобавочным диодом Шоттки и два силовых MOSFET-тразистора в очень компактном корпусе размером 5 мм x 5 мм с улучшенными тепловыми параметрами. Интегральная структура модулей обеспечивает оптимальные динамические характеристики драйвера и MOSFET-транзисторов, минимизирует системную индуктивность и остаточное сопротивление открытого канала R_DS(ON). Силовые транзисторы модуля выполнены по высокопроизводительной технологии PowerTrench® компании Fairchild, снижающей «звон» при переключении и позволяющей отказаться от использования схем подавления «звона» в большинстве понижающих преобразователей.

Читать далее »

Низковольтные MOSFET-транзисторы нового поколения от компании Toshiba демонстрируют самые низкие показатели потерь мощности при очень хорошем соотношении цена-производительность.

Транзисторы нового поколения также обладают лучшими электрическими характеристиками и, учитывая высокий показатель добротности (FOM) R_DS(ON) x Q_G и расширенные производственные возможности Toshiba, способны удовлетворить любые требования заказчика. Устройства поставляются в 8-выводном корпусе для поверхностного монтажа DSOP размером 5 мм x 6 мм с металлическим радиатором для эффективного отвода тепла.

Читать далее »