Данный транзистор произведён на основе технологии TrenchMOS. Продукт разработан и прошёл сертификацию в соответствии со стандартом AEC-Q101 для применения в высокопроизводительных автомобильных приложениях.

Корпус LFPAK-56 является инновационной разработкой компании NXP. Он обладает повышенной надёжностью, улучшенными тепловыми характеристиками, в том числе низким тепловым сопротивлением, и компактными размерами. Такой тип корпуса специально предназначен для компонентов, которые должны удовлетворять требованиям, предъявляемым к автомобильным приложениям с высокой плотностью мощности, и соответствует стандарту AEC-Q101. Малые размеры корпуса позволяют размещать прибор в любом месте автомобиля. Благодаря наличию медного зажима в конструкции LFPAK-56 удалось преодолеть ограничения, свойственные традиционным проволочным выводам, что значительно повысило надёжность устройства. Кроме того, LFPAK56 позволяет разместить мощные компоненты на площади малых размеров, что раньше было не доступно из-за больших габаритов дискретных корпусов силовых элементов.

Читать далее »

Компания Fairchild представляет новое семейство быстродействующих FET-транзисторов с рабочей температурой до 175°C и низким сопротивлением открытого канала, доступных в корпусах размером 3 мм x 3 мм и 5 мм x 6 мм.

Новые MOSFET-транзисторы от компании Fairchild с максимальной рабочей температурой до 175°C идеально подходят для устройств, функционирующих в условиях высоких температур, перегрузок по току, а также для приложений с длительным сроком службы и высокой надёжностью. Семейство включает в себя 19 устройств: 6 в корпусе Power33, 7 в корпусе Power56 и 6 в корпусе TOLL с напряжением сток-исток 30 В, 40 В, 60 В, 80 В, 100 В, 120 В и 150 В. Приложения, в которых используются данные приборы, имеют высокие показатели наработки на отказ при работе в условиях повышенных температур.

Читать далее »

Новое поколение низковольтных MOSFET-транзисторов, отличающихся наименьшими потерями мощности и превосходным соотношением цена-производительность.

TPW — семейство низковольтных MOSFET-транзисторов, доступных в миниатюрном модернизированном корпусе DSOP Advance с улучшенными тепловыми характеристиками, который позволяет экономить пространство печатной платы и уменьшить выделение тепла более чем на 30%. Теплоотводящие контактные площадки с обоих сторон корпуса значительно улучшают отведение тепла от кристалла транзистора. Это позволяет разработчикам схем с высокой плотностью мощности минимизировать температуру печатной платы и увеличить производительность при минимальных размерах монтажной площади.

Читать далее »

Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В, выполненные по оптимизированной кремниевой технологии, соответствуют требованиям нового поколения стандартов по КПД и плотности мощности для схем преобразователей постоянного напряжения.

Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 предназначены для построения различных схем преобразователей напряжения, применяемых в вычислительной технике: серверах, системах обмена данными и клиентских машинах, которые выполнены на основе платформы многофазного питания Intel VR и IMVP.

Читать далее »

В транзисторах семейства SuperFET® II используется технология балансировки заряда для получения низкого значения сопротивления открытого канала и малой величины заряда затвора.

Новые MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 800 В от компании Fairchild обладают самым низким значением заряда затвора, обеспечивающим малое сопротивление открытого канала R_DS(ON) и накопленную выходную энергию. Семейство включает 26 приборов с сопротивлением открытого канала от 60 мОм в корпусе TO-247 (находится в стадии разработки) до 400 мОм в корпусе TO-220F, а также до 4.3 Ом в корпусе IPAK. Улучшенный на 40% показатель добротности (Figure of Merit — FOM) способствует росту общего КПД системы и снижению тепловыделения, что значительно упрощает проектирование системы охлаждения для схем с высокой плотностью мощности.

Читать далее »

Семейство транзисторов STripFET F7 уменьшает количество параллельно включаемых компонентов для достижения необходимой силы тока нагрузки за счёт более низкого сопротивления открытого канала, относительно площади кристалла.

Семейство низковольтных MOSFET-транзисторов STripFET F7 от компании ST обладает улучшенной структурой канал-затвор, позволяющей снизить сопротивление открытого канала, а также внутренние ёмкости и заряд затвора, что в свою очередь приводит к повышению быстродействия прибора и его КПД.

Читать далее »

Новое поколение силовых MOSFET-транзисторов с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала

Компания Infineon расширяет семейство MOSFET-транзисторов OptiMOS™ 5 устройствами с рабочим напряжением сток-исток 80 В и 100 В.

Новейшее поколение MOSFET-транзисторов, оптимизированных для использования в преобразователях напряжения с высокими рабочими частотами, особенно в схемах с синхронным режимом выпрямления. Устройства подходят для применения в источниках питания систем телекоммуникаций и серверов, а также в промышленных приложениях, таких как солнечные инверторы, низковольтные драйверы и сетевые адаптеры.

Читать далее »

Высокоэффективные MOSFET-транзисторы SiHx25N50E с напряжением сток-исток 500 В, выполненные на основе устройств второго поколения по технологии Суперперехода, являются дополнением к существующему семейству D с тем же напряжением сток-исток, созданных на базе высокопроизводительной планарной технологии.

Новые транзисторы поддерживают рабочий ток стока до 25 А и отличаются низким сопротивление открытого канала, равным 145 мОм. Они выпускаются в стандартных корпусах TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) и компактном, низкопрофильном TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E).

Читать далее »

Новейшие силовые MOSFET-транзисторы компании STMicro соответствуют мировым стандартам по уровню КПД источников питания, применяемых в бытовой электронике, маломощных источниках света и солнечных микроинверторах. При этом устройства поставляются в корпусах новейшей конструкции и повышенной прочности, позволяющих увеличить плотность мощности.

Семейство транзисторов MDmesh M2 является новым словом в технологии суперперехода, отличаясь меньшим сопротивлением открытого канала R_DS(ON), по сравнению с предшественниками, более низким зарядом затвора Q_GD и меньшей входной и выходной ёмкостью (C_iss/C_oss). Вместе эти преимущества приводят к снижению потерь энергии и уменьшению тепловыделения, что в свою очередь позволяет увеличить частоту переключения и КПД конечных решений. А увеличенное до 650 В напряжение пробоя сток-исток способствует росту уровня надёжности системы в целом.

Читать далее »

Новая линейка модулей на базе силовых SuperFET® MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В и уровнем мощности свыше 200 Вт. Модули интегрируют шесть транзисторов и полумостовые драйверы, необходимые для построения схем трёхфазных мостовых инверторов.

FSB50660SFS интегрирует MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого канала 700 мОм, а FSB50760SFS — 530 мОм, что на 60% меньше по сравнению с предыдущим моделями семейства, обеспечивая более высокий уровень мощности. Встроенные драйверы затворов транзисторов оптимизированы для управления скоростью нарастания напряжения и тока в ключах, что способствует ограничению уровня электромагнитных помех. Это упрощает схемотехническое решение и сокращает время вывода коечного продукта на рынок.

Читать далее »