Самое низкое значение сопротивления открытого канала, высокая плотность мощности и КПД

Данные MOSFET-транзисторы являются низковольтными мощными приборами с сопротивлением открытого канала до 2 мОм, выпускаемыми в безвыводных корпусах TO и выводных корпусах TO-220.

Обладая улучшенной на 30% добротностью (Q_G x R_DS(ON)) и превосходными характеристиками переключения, данное семейство MOSFET-транзисторов обеспечивает высокую плотность мощности и КПД системы, особенно при использовании в легких транспортных средствах на электрической тяге, где требуется продолжительное время работы от аккумулятора, увеличение срока его службы и уменьшение времени его зарядки. Технология OptiMOS™ является наилучшим решением для миниатюризации систем, так как позволяет достичь высоких значений КПД при компактных размерах транзистора.

Читать далее »

Новые силовые MOSFET-транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполенные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твердотельного освещения.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала R_DS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET-транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и легкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.

Читать далее »

Новое семейство транзисторов CoolMOS™ C7 от компании Infineon является революционным шагом вперёд в технологии производства этих приборов, обеспечивая самое низкое в мире сопротивление открытого канала R_DS(ON), а благодаря низким потерям на переключение, повышенный КПД при любом уровне нагрузки.

Семейство транзисторов C7 оптимизировано для жестких режимов коммутации работы в таких схемах, как корректоры коэффициента мощности (CCM PFC), прямоходовые двухтактные преобразователи напряжения (TTF) и солнечные инверторы. Данные схемы могут являться составной частью устройств солнечной энергетики, серверов, телекоммуникационного оборудования и бесперебойных источников питания. Благодаря высокому значению пробивного напряжения сток-исток, равному 650 В, транзисторы имеют значительный запас надёжности при использовании в импульсных источниках питания и солнечных инверторах.

Читать далее »

Силовые MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) быстро завоёвывают рынок благодаря некоторым преимуществам перед традиционными кремниевыми силовыми компонентами.

SiC MOSFET-транзисторы способны повысить КПД системы более чем на 10%. Более низкое сопротивления открытого канала R_DS(ON) по сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами и возможность работать на повышенных частотах переключения увеличивает общую производительность системы и снижает размеры пассивных компонентов.

Читать далее »

Семейство P-канальных MOSFET-транзисторов FDMC86xxxP, выполненных по технологии PowerTrench®, обеспечивают более компактное решение, отличаются высокой скоростью переключения и меньшей рассеиваемой мощностью и предназначены для применения в схемах управления двигателями, в преобразователях с активной схемой фиксации уровня напряжения (Active Clamp) и коммутаторах нагрузки.

Серия представлена двумя MOSFET-транзисторами FDMC86261P и FDMC86139P с максимальным напряжением сток-исток 150 В и 100 В, соответственно. По сравнению с аналогичными устройствами, новые P-канальные транзисторы обеспечивают показатель добротности (Figure Of Merrit — FOM) по эффективности переключения на 67% выше, чем у ближайшего конкурента. Кроме того, в транзисторах снижены потери на переключение на 38% и потери проводимости – на 46%. Это позволяет сократить размеры схемы и увеличить общую эффективность системы.

Читать далее »

Еще большая плотность мощности при меньшем тепловыделении!

Новый N-канальный полевой транзистор, выполненный по новейшей технологии TrenchFET Gen IV® компании Vishay, позволяет упростить схему и значительно увеличить эффективность по сравнению с устройствами предыдущего поколения и конкурирующими решениями.

Сдвоенный асимметричный силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 30 В в корпусе PowerPAIR® отличается на 57% меньшим сопротивлением открытого канала, на 25% большей плотностью мощности и на 5% большей эффективностью по сравнению с устройствами предыдущего поколения, выпускаемых в этом корпусе. SiZ340DT от компании Vishay Siliconix позволяет снизить потери мощности, уменьшить и упростить схему синхронных понижающих преобразователей напряжения за счет интеграции транзисторов верхнего и нижнего плеча в одном компактном корпусе размером 3 х 3 мм.

Читать далее »

Новые MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS™ в безвыводных корпусах от компании Infineon предназначены для использования в сильноточных устройствах и являются лучшим решением для систем управления высокой мощности. Безвыводной корпус TO отличается чрезвычайно компактными размерами, обеспечивает высокую эффективность и низкий уровень паразитного электромагнитного излучения.

Новые MOSFET-транзисторы в безвыводных корпусах поддерживают рабочий ток до 300 А и могут использоваться в таких устройствах, как электропогрузчики, лёгкие транспортные средства с электрическим приводом, электроинструменты, системы распределённого электропитания и телекоммуникационное оборудование. Современная кремниевая технология OptiMOS™ в сочетании с малым сопротивлением корпуса обеспечивают чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON). Это даёт возможность использовать меньшее количество параллельно включенных транзисторов для получения заданной нагрузочной способности и увеличить плотность мощности в различных сильноточных приложениях.

Читать далее »

Силовой N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247 с напряжением сток-исток 650 В, током стока 69 А и сопротивлением открытого канала 24 мОм, сертифицированный для применения в автомобильных приложениях, выполнен на основе инновационного фирменного вертикального техпроцесса MDmesh™ V и имеет горизонтальную структуру слоёв PowerMESH™.

Результатом использования этих двух технологий стало очень низкое значение сопротивления открытого канала, недоступное для мощных полевых транзисторов на основе кремния. Благодаря снижению активных потерь в канале, данный транзистор отлично подойдёт для систем с высокой плотностью мощности и КПД.

Читать далее »

Специально разработан для применения в оборудовании с питанием от сети Ethernet (Power-over-Ethernet — PoE)

Новые технологии и успешный опыт прошлых достижений позволяют сегодня создавать следующее поколение систем питания по линии Ethernet (PoE), способных обеспечить каждое питаемое устройство (Powered Device — PD) в сети мощностью до 100 Вт.

Большие ЖКИ дисплеи, точки беспроводного доступа сетей 3G/4G и Wi-Fi, управляемые камеры (Pan-Tilt-Zoom — PTZ) систем видеонаблюдения, питаемые от сети Ethernet, предъявляют более жесткие требования к питающему оборудованию (Power Sourcing Equipment — PSE) в части процедуры «плавного пуска», стойкости к коротким замыканиям, тепловым режимам и доступной плотности мощности. Новый представитель MOSFET-транзисторов линейки “NextPower Live” — PSMN075-100MSE оптимизирован для работы с новейшими PoE-контроллерами, демонстрируя одновременно высокую линейность рабочих режимов и чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (R_DS(ON)), и доступен в недорогом, промышленно-стандартном корпусе LFPAK33.

Читать далее »

Очень низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON) благодаря технологии Power Clip.

Новый N-канальный MOSFET-транзистор выполнен по улучшенному техпроцессу Power Trench® компании Fairchild Semiconductor, включающему технологию экранирования затвора. Данный техпроцесс обеспечивает оптимальное значение сопротивления открытого канала и высокую эффективность переключения. Также за счёт особой технологии исполнения корпуса Power Clip удалось достичь низкого сопротивления открытого канала при размещении транзистора в корпусе типа PQFN размерами 3.3 x 3.3 мм.

Читать далее »