Компания EBV совместно с тремя крупнейшими производителями силовых компонентов из своей программы поставок представит последние достижения в области MOSFET-транзисторов.

  • Fairchild: Лучшие в своем классе 30-вольтовые MOSFET-транзисторы в MLP-корпусах (формованный безвыводной корпус) размерами 5 х 6 и 3 х 3 мм
  • Infineon: MOSFET-транзисторы на 120…250 В семейства OptiMOS обеспечивают наивысшую эффективность и плотность мощности
  • STMicroelectronics: Технология MDmesh V силовых MOSFET-транзисторов нового поколения демонстрирует лучшее в отрасли отношение сопротивления открытого канала к занимаемой площади для максимальной эффективности и плотности мощности в классе напряжений 650 В

Усовершенствуйте свое приложение с MOSFET-транзисторами от EBV Elektronik, став участником бесплатного вебинара, который будет проводиться на английском и немецком языках – регистрируйтесь прямо сейчас!

Fairchild:
FDMS7650 предлагает разработчикам серверов, блейд-серверов и маршрутизаторов первый в отрасли 30-вольтовый MOSFET-транзистор с сопротивлением открытого канала менее 1 мОм в корпусе Power56

  • FDMS7650 — первый в отрасли MOSFET-транзистор в корпусе Power56, преодолевший рубеж в 1 мОм
  • FDMC7660 — еще один новый транзистор, способный предложить сопротивление открытого канала на уровне 1.8 мОм (тип.), в миниатюрном корпусе размером всего 3 х 3 мм
Infineon
MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS на диапазон напряжений 120…250 В идеально подходят для широкого круга таких приложений, как сильноточные схемы управления электродвигателями, инверторы солнечных батарей, синхронные выпрямители. Обеспечивая до 50% более низкое сопротивление открытого канала и показатель надежности (FOM) по сравнению с альтернативными устройствами, семейство OptiMOS позволяет применять низкопрофильный корпус SuperSO8 в приложениях, где ранее было возможно применять исключительно громоздкие корпуса D2PAK или TO-220, позволяя, тем самым, сэкономить до 90% пространства в системе.
STMicroelectronics:
Новая технология MDmesh V обеспечит создание следующего поколения 650-вольтовых MOSFET-транзисторов с сопротивлением открытого канала ниже 0.079 Ом в компактных силовых корпусах с лучшими в отрасли показателями эффективности и плотности мощности. Мировой рекорд в значении RDS(ON) транзисторов в корпусах TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-247, Max247 и PowerFLAT размером 8 x 8 мм.

Условия участия в вебинаре — бесплатно

6 Октября 2010
13:00-14:00 (Мск.)
Язык презентации:
Немецкий		 6 Октября 2010
15:00-16:00 (Мск.)
Язык презентации:
Английский