Силовые MOSFET-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) быстро завоёвывают рынок благодаря некоторым преимуществам перед традиционными кремниевыми силовыми компонентами.

SiC MOSFET-транзисторы способны повысить КПД системы более чем на 10%. Более низкое сопротивления открытого канала RDS(ON) по сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами и возможность работать на повышенных частотах переключения увеличивает общую производительность системы и снижает размеры пассивных компонентов.

Оптрон ACPL-W346 идеально подходит для непосредственного управления затвором SiC MOSFET-транзистора благодаря соответствующему значению его выходного напряжения и пикового тока. Широкий диапазон напряжений выходного каскада оптрона даёт возможность получить сигналы управления затвором необходимой величины. Это техническое преимущество в сочетании с равной или более низкой стоимостью всей схемы управления способствовало быстрому внедрению силовых компонентов на основе карбида кремния в такие области применения, как возобновляемые источники энергии, промышленные системы управления двигателями, промышленные источники питания и системы индукционного нагрева.

Область применения:

  • Инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания
  • Системы управления электродвигателями
  • Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания

SiC MOSFET-транзистор SCT30N120 компании STMicroelectronics

Силовой N-канальный MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с током стока 45 А, напряжением сток-исток 1200 В, сопротивлением открытого канала 80 мОм в корпусе HiP247.

Этот транзистор произведён с использованием инновационных свойств материалов с широкой запрещённой зоной. Приборы из таких материалов демонстрируют непревзойдённое значение сопротивления открытого канала и очень хорошие характеристики переключения, почти независящие от температуры. Выдающиеся тепловые свойства материалов из карбида кремния и запатентованная конструкция корпуса HiP247™ позволили инженерам создать устройства с повышенной термостабильностью, отвечающие существующим промышленным стандартам. Благодаря этим особенностям, транзисторы хорошо подойдут для применения в приложениях с высоким КПД и высокой плотностью мощности.

Силовой SiC MOSFET-транзистор SCT30N120

Отличительные особенности:

  • Очень слабая зависимость сопротивления открытого канала от температуры
  • Незначительное изменение потерь на переключение от температуры
  • Максимальная рабочая температура: 200 °C
  • Встроенный шунтирующий диод с малым временем восстановления
  • Низкое значение ёмкости
  • Лёгкость управления

Оптрон ACPL-W346 компании Avago Technologies

Оптрон в корпусе SSO-6 для схем управления затворами силовых и карбид-кремниевых (SiC) MOSFET-транзисторов с выходным напряжением, равным напряжению питания (Rail-to-Rail).

ACPL-W346 представляет собой высокоскоростной оптрон с выходным током до 2,5 А. Устройство содержит алюминий-арсенид-галлиевый (AlGaAs) светодиод, оптически связанный с мощным выходным каскадом. Оптроны идеально подходят для схем инверторов и AC/DC или DC/DC преобразователей напряжения, построенных на силовых SiC MOSFET-транзисторах. Широкий диапазон рабочих напряжений выходного каскада формирует необходимый уровень напряжения для управления затвором силового ключа. Уровни выходного напряжения и пикового выходного тока позволяют применять оптрон для непосредственного управления MOSFET-транзистором в высокоэффективных высокочастотных схемах преобразователей. ACPL-W346 отличается высокой электрической прочностью изоляции (VIORM = 1140 ВПИК) и отвечают требованиям стандартов IEC/ EN/DIN EN 60747-5-5.

Внутренняя архитектура ACPL-W346

Отличительные особенности:

  • Максимальный пиковый выходной ток: 2.5 А
  • Диапазон выходного напряжения равен диапазону напряжения питания (Rail-to-Rail)
  • Максимальная задержка распространения сигнала 120 нс
  • Разброс значения (между разными устройствами) задержки распространения сигнала не более 50 нс
  • Вход управления светодиодом с гистерезисом
  • Максимальный ток на светодиоде 4 мА
  • Схема защиты от недопустимого снижения входного напряжения (UVLO) с гистерезисом
  • Широкий диапазон напряжения питания: 10…20 В
  • Диапазон рабочих температур: -40…+105°C
  • Соответствуют требованиям международных стандартов безопасности UL, CSA, IEC/EN/DIN EN 60747-5-5

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на ACPL-P346, ACPL-W346 (англ.)

Документация на SCT30N120 (англ.)