Компания Cypress представляет микросхему памяти nvSRAM объемом 1 Мбит с 4-проводным интерфейсом SPI и высоким быстродействием, предназначенную для надежного сохранения данных в условиях падения напряжения питания.

Новая энергонезависимая SRAM-память (nvSRAM) с 4-проводным последовательным периферийным интерфейсом (Quad SPI) обеспечивает пропускную способность данных, аналогичную устройствам с многоканальным параллельным интерфейсом, и отличается более компактными размерами. CY14V101 гарантирует быстрое сохранение данных в случае внезапного отключения основного питания и может применяться в системах хранения на основе RAID-массивов, промышленной автоматике и сетевых приложениях.

Память организована как 128К слов по 8 бит каждое и включает область SRAM-памяти и энергонезависимые ячейки SONOS FLASH. SRAM память поддерживает неограниченное количество циклов чтения и записи, в то время как ячейки FLASH памяти обеспечивают высоконадежное энергонезависимое хранение данных. Перенос данных из области SRAM в энергонезависимые ячейки (операция STORE) происходит автоматически при падении напряжения питания. При включении питания, данные автоматически восстанавливаются в SRAM памяти из содержимого энергонезависимых ячеек (операция RECALL). Пользователь может выполнять операции STORE и RECALL в ручном режиме посредством SPI-инструкций.

Внутренняя архитектура CY14V101PS

Отличительные особенности:

• Организация памяти: 1 Мбит (128К х 8)
• Пропускная способность
  • Высокоскоростной интерфейс с рабочей частотой 108 МГц
  • Запись/чтение со скоростью до 54 Мбит/с
• Последовательный периферийный интерфейс
  • Ведомое устройство в режимах SPI mode 0 и 3
  • Несколько режимов ввода/вывода — 1-проводной SPI, 2-проводной SPI (DPI) и 4-проводной SPI (QPI)
• Высокая надежность
  • Неограниченное число циклов чтения/записи области SRAM-памяти
  • 1 млн. циклов записи в энергонезависимую область памяти (SONOS FLASH)
  • Сохранность данных: 20 лет при макс. температуре +85°C
• Защита данных
  • Аппаратная: защита от записи посредством вывода WP
  • Программная: посредством команды запрета записи
  • Защита блоков памяти: посредством регистра статуса
• Встроенные часы реального времени (RTC): только в CY14V101PS
• Режимы пониженного энергопотребления
  • Режим сна: средний ток потребления 280 мкА при при температуре +85°C
  • Режим глубокого сна: средний ток потребления 8 мкА при при температуре +85°C
• Напряжение питания
  • Ядра: от 2.7 В до 3.6 В
  • Портов ввода/вывода: от 1.71 В до 2.0 В
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
• Корпус: 16-выводной SOIC

Область применения:

• Вычислительная техника и сетевые устройства
• Промышленная автоматика
• Системы хранения на основе RAID-массивов
• Приборы учета

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на CY14V101QS (англ.)

Документация на CY14V101PS (англ.)