Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
19 Июн
Применение n-канальных MOSFET-транзисторов PT7 позволяет улучшить эффективность, уменьшить колебательность переходных процессов по нарастающему фронту в узле коммутации и, самое главное, добиться соответствия требованиям к энергоэффективности!
Мощные MOSFET-транзисторы выпускаются по оригинальной технологии PowerTrench, которая обеспечивает сочетание малых значений заряда затвора и сопротивления RDS(ON) и высокой частоты коммутации. Транзисторы также отличаются превосходным значением обратного восстановления встроенного диода и размещением в ультракомпактном корпусе Power56.
Наименование | Конфигурация | VDS (В) | VGS (В) | RDS(ON) Макс. (мВ) | QG Тип. (нКл) | QGD Тип. (нКл) | ID (А) | Корпус | ||
10 В | 4.5 В | 10 В | 4.5 В | |||||||
FDMS7660 | Одиночный | 30 | ±20 | 2.8 | 3.5 | 60 | 27 | 7.2 | 25 | Power56 |
FDMS7670 | Одиночный | 30 | ±16 | 3.8 | 5 | 40 | 17 | 3.1 | 21 | Power56 |
FDMS7672 | Одиночный | 30 | ±16 | 5 | 6.9 | 31 | 14 | 3.7 | 19 | Power56 |
FDMS7680* | Одиночный | 30 | ±20 | 7.7 | 12.5 | 20 | 9 | 2.5 | 14 | Power56 |
FDMS7692* | Одиночный | 30 | ±20 | 7.7 | 16 | 15 | 7.3 | 1.8 | 13 | Power56 |
*Будут доступны в 3 квартале 2009. |
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница Fairchild по MOSFET-транзисторам PowerTrench®
Документация на FDMS7660 (англ.)
Документация на FDMS7670 (англ.)
Документация на FDMS7672 (англ.)
Подпишись на новости! |