Применение n-канальных MOSFET-транзисторов PT7 позволяет улучшить эффективность, уменьшить колебательность переходных процессов по нарастающему фронту в узле коммутации и, самое главное, добиться соответствия требованиям к энергоэффективности!

Мощные MOSFET-транзисторы выпускаются по оригинальной технологии PowerTrench, которая обеспечивает сочетание малых значений заряда затвора и сопротивления RDS(ON) и высокой частоты коммутации. Транзисторы также отличаются превосходным значением обратного восстановления встроенного диода и размещением в ультракомпактном корпусе Power56.

 

Наименование Конфигурация VDS (В) VGS (В) RDS(ON) Макс. (мВ) QG Тип. (нКл) QGD Тип. (нКл) ID (А) Корпус
10 В 4.5 В 10 В 4.5 В
FDMS7660 Одиночный 30 ±20 2.8 3.5 60 27 7.2 25 Power56
FDMS7670 Одиночный 30 ±16 3.8 5 40 17 3.1 21 Power56
FDMS7672 Одиночный 30 ±16 5 6.9 31 14 3.7 19 Power56
FDMS7680* Одиночный 30 ±20 7.7 12.5 20 9 2.5 14 Power56
FDMS7692* Одиночный 30 ±20 7.7 16 15 7.3 1.8 13 Power56
*Будут доступны в 3 квартале 2009.

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница Fairchild по MOSFET-транзисторам PowerTrench®

Документация на FDMS7660 (англ.)

Документация на FDMS7670 (англ.)

Документация на FDMS7672 (англ.)