FCP22N60N, будучи ориентированным на применение в источниках питания, обладает малым значением RDS(ON) (165 мОм) и очень малым зарядом затвора (14.5 нКл).

MOSFET-транзистор доступен в стандартном и изолированном корпусах TO220. Значение dv/dt транзистора составляет 100 В/нс, а встроенного диода — 20 В/нс. Указанные рабочие характеристики особенно важны в таких применениях как каскады коррекции коэффициента мощности и резонансные преобразователи.

Отличительные особенности

  • Сопротивление открытого канала RDS(ON) = 0.140 Ом, при VGS = 10 В, ID = 11 А
  • Напряжение пробоя сток-исток BVDSS > 650 В, при температуре корпуса TJ = 150°C
  • Сверхмалый заряд затвора QG = 45 нКл (тип.)
  • Низкая эффективная выходная емкость
  • 100% протестирован на лавинный пробой

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FCP22N60N (англ.)