Компания Fairchild представила новое семейство MOSFET-транзисторов со стоковым напряжением 30 В, имеющих минимальное значение сопротивления открытого канала (макс. RDS(ON) ), что обеспечивает повышенную эффективность работы в DC/DC применениях. Транзистор FDMS7650 в корпусе Power56 впервые преодолел барьер 1 мОм по сопротивлению открытого канала (макс. RDS(ON)), со значением этого параметра всего лишь 0.99 мОм, при применении обеспечивает уменьшение потерь на переключение, что улучшает полную эффективность работы приложения.

Революционное значение сопротивления открытого канала в транзисторе FDMS7650 стало возможным благодаря применению высокоэффективной технологии производства MOSFET-транзисторов PowerTrench® компании Fairchild. Результатами применения данной технологии, кроме беспрецедентного значения RDS(ON), являются также улучшенные характеристики заряда затвора (QG) и миллеровского заряда (QGD), что минимизирует потери на проводимость и переключение.

Транзистор FDMS7650 может применяться как коммутатор нагрузки или для организации структур ORing. В составе серверных массивов данные транзисторы находят применение для распределения нагрузки, когда множество источников питания включены параллельно. Меньшая рассеиваемая мощность и обеспечение более высокого КПД сильно сказывается на общей эффективности работы данных серверных массивов в режимах, когда транзисторы в течение продолжительного времени находятся во включенном состоянии. С применением данных 30 В транзисторов в системах с заданным значением RDS(ON) возможно получение большего количества узлов коммутации, например, в приложениях, использующих 2 мОм транзисторы, то же самое решение возможно с использованием удвоенного количества транзисторов.

В данном семействе продуктов (FDMS76xx) со стоковым напряжением 30 В присутствуют модели с различными максимальными значениями RDS(ON) в диапазоне от 0.99 до 7.5 мОм и типовым значением заряда затвора QG от 7 до 63 нКл. Все транзисторы семейства доступны в промышленных корпусах Power56 или Power33. представители семейства в корпусе Power33 (FDMC76xx) имеют диапазон Max RDS(ON) от 4.2 до 8.5 мОм и параметра QG от 10 до 25 нКл.

Отличительные особенности

  • Максимальное значение RDS(ON) = 0.99 мОм при VGS = 10 В, ID = 36 А
  • Максимальное значение RDS(ON) = 1.55 мОм при VGS = 4.5 В, ID = 32 А
  • Передовая технология корпусирования и оптимизированная внутренняя архитектура снижают сопротивление открытого канала и повышают эффективность
  • Надежная конструкция корпуса с влагостойкостью уровня MSL 1
  • Отвечает требованиям RoHS
Наименование Полярность BVDSS
мин.
(В)
Конфигурация RDS(ON) макс.
(мОм)
при VGS
QG тип.
(нКл)
при VGS=5В
ID
(А)
PD
(Вт)
10 В 4.5 В
FDMS7578 N 25 Single 5.8 8 8 28 33
FDMS7682 N 30 Single 6.3 10.4 9.9 22 33
FDMS7694 N 30 Single 9.5 14.5 7 20 27
FDMS7580 N 25 Single 7.5 11.1 6.5 20 27
FDMS7560S N 25 SyncFET 1.5 2.1 30 49 89
FDMS7570S N 25 SyncFET 2 2.9 22 49 83
FDMS7572S N 25 SyncFET 2.9 4.2 15 49 46
FDMS7650 N 30 Single 1 1.6 63 60 104
FDMS7660 N 30 Single 2.8 3.5 27 42 78
FDMS7670 N 30 Single 3.8 5 17 42 62
FDMS7672 N 30 Single 5 6.9 14 28 48
FDMS7676 N 30 Single 5.5 7.6 14 28 48
FDMS7680 N 30 Single 6.9 11 9 28 33
FDMS7692 N 30 Single 7.5 13 7 28 27
FDMS7692A N 30 Single 8 14 7 28 27
FDMS7656AS N 30 SyncFET 1.8 2 43 49 96
FDMS7658AS N 30 SyncFET 1.9 2.4 35 49 89
FDMS7660AS N 30 SyncFET 2.4 3 29 42 83
FDMS7670AS N 30 SyncFET 3 3.5 22 42 65
FDMS7672AS N 30 SyncFET 4 5.2 15 42 46
FDMS6681Z P -30 Single 3.2 5 97 49 73
FDMS6673BZ P -30 Single 6.8 12.5 52 28 73

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Каталог силовых компонентов Fairchild Semiconductor (англ.)