N-канальный MOSFET-транзистор производится по современной технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor, направленной главным образом на минимизацию сопротивления канала в открытом состоянии ключа. Компонент очень хорошо подходит для организации питания и коммутации нагрузки обычно в составе ноутбуков и портативных батарейных модулях.

Преимущества применения:

  • MOSFET-транзисторы на 25 и 35 В с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала RDS(ON)
  • Высокая эффективность работы при малых размерах
  • Наименьшие потери на проводимость
  • Превосходные температурные характеристики

Наименование Полярность BVDSS
мин.
(В)		 Конфигурация RDS(ON) макс.
(мОм)
при VGS		 QG тип.
(нКл)
при VGS=5В		 ID
(А)		 PD
(Вт)
10 В 4.5 В
FDMC7570S N 25 SyncFET 2 2.9 22 40 59
FDMC7572S N 25 SyncFET 3.2 4.7 14 40 52
FDMC7660 N 30 Single 2.2 3.3 24 40 41
FDMC7664 N 30 Single 4.2 5.5 25 24 2.3
FDMC7672 N 30 Single 5.7 7 18 20 2.3
FDMC7680 N 30 Single 7.2 9.5 14 18 2.3
FDMC7692 N 30 Single 8.5 11.5 10 16 29
FDMC7660S N 30 SyncFET 2.2 3 21 40 41
FDMC7672S N 30 SyncFET 6 7.1 14 18 2.3
FDMC7692S N 30 SyncFET 9.3 13.6 8 18 2.3
FDMC510P P -20 Single - 8 83 18 41
FDMC6679AZ P -30 Single 10 18 37 20 41
FDMC6675BZ P -30 Single 14.4 27 26 20 36
FDMC4435BZ P -30 Single 20 37 17 18 31

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Каталог силовых компонентов Fairchild Semiconductor (англ.)