Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
19 Окт
Компания Fairchild представила быстродействующие IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения с низкими потерями на переключение. Новые приборы обладают плавной характеристикой переключения, что приводит к минимальным выбросам напряжения и низкому «звону» и, как следствие, низкому уровню электромагнитного излучения и высокой надежности транзистора.
Новый IGBT-транзистор FGH75T65SQD на основе технологии Field Stop Trench поддерживает напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора до 75 А. Прибор оптимизирован для применения в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, телекоммуникационном оборудовании, коммутирующих схемах и корректорах коэффициента мощности, для которых основным критерием являются низкие потери проводимости и потери на переключение.
Технология Fieldstop четвёртого поколения позволяет создавать IGBT-транзисторы с наилучшим показателем качества. Производитель намерен выпускать транзисторы с различным соотношением напряжения насыщения к энергии выключения (VCE(sat)/Eoff), чтобы сделать данную технологию наилучшим выбором для любых приложений и топологий.
IGBT-транзистор FGH75T65SQD |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FGH75T65SQD (англ.)
Подпишись на новости! |