Преимуществом данного транзистора являются низкие потери проводимости и переключения, гарантирующие высокий КПД целевых приложений. FGY120T65S характеризуется высокой устойчивостью к переходным процессам и низким уровнем электромагнитных помех. При параллельном включении нескольких устройств обеспечивается равномерное распределение тока между всеми транзисторами.

IGBT-транзистор FGY120T65SPD

Отличительные особенности:

  • Прибор сертифицирован для автомобильного применения
  • Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер VCES: 650 В
  • Номинальный рабочий ток коллектора IC: 120 А
  • Максимально допустимый ток коллектора IC при температуре 25°C: 240 А (ограничен внутренним проводным соединением)
  • Очень низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1.5 В (тип.) при токе коллектора IC = 120 А
  • Максимальная температура перехода: TJ = 175°C
  • Положительный температурный коэффициент
  • Малый разброс параметров
  • Высокое входное сопротивление
  • Все компоненты прошли динамическое тестирование
  • Устойчивость к току короткого замыкания, действующего в течение 6 мкс при температуре 25°C
  • Встроенный сверхбыстрый встречно-параллельный диод с малым временем восстановления и плавной характеристикой переключения
  • Корпус TO-247

Область применения:

  • Инверторы для управления тяговыми двигателями в транспортных средствах с электрическим и гибридным приводом
  • Вспомогательные преобразователи постоянного напряжения в переменное для автомобилей
  • Схемы управления электродвигателями
  • Другие автомобильные устройства энергообеспечения, требующие мощных силовых ключей

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FGY120T65S_F085 (англ.)