Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
17 Июл
По сравнению с традиционными энергонезависимыми запоминающими устройствами, такими как EEPROM и FLASH, которые выдерживают не более миллиона циклов записи, сегнетоэлектрическая память MB85RS1MT обеспечивает пользователю свыше 10 триллионов циклов записи/чтения и позволяет создавать гибкие в использовании хранилища данных, работающих в реальном масштабе времени.
Кроме того, в отличие от блочного доступа к данным в EEPROM и FLASH памяти, FRAM может быстро и гибко перезаписывать данные в каждую ячейку без каких-либо временных задержек. Благодаря перечисленным свойствам, новый тип памяти имеет значительно меньшее энергопотребление в процессе записи, что положительно сказывается на продолжительности работы конечной системы от аккумулятора. Это особенно важно для переносных приборов и инфраструктур на основе датчиков с функцией частой регистрации данных.
Данная память размещается в миниатюрном 8-выводном корпусе WL-CSP, площадь которого составляет лишь 5% от традиционного SOP-8, что позволяет реализовывать приложения очень малых размеров.
MB85RS1MT работает при напряжении питания от 1.8 В до 3.6 В и гарантирует надежную сохранность данных в течение 10 лет при температуре окружающей среды до +85°C. Типовой диапазон рабочих температур прибора представлен значениями от -40°C до +85°C. Память будет выпускаться как в традиционном корпусе SOP-8, так и в миниатюрном WL-CSP. В настоящее время доступны образцы изделия в корпусе второго типа.
Внутренняя архитектура MB85RS1MT |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на MB85RS1MT (англ.)
Подпишись на новости! |