Карбид кремния (SiC) – идеальный полупроводниковый материал для построения силовых электронных приборов, которые уверенно превосходят кремниевые (Si) и нитрид-галлиевые (GaN) силовые приборы.

SiC-диоды позволяют добиться рекордных коммутационных характеристик (практически полностью избавлены от потерь коммутации) и отличных характеристик проводимости, особенно при работе с напряжениями 600В и выше. Данные свойства позволяют установить новую рекордную планку по эффективности и снизить сложность импульсных блоков питания. Кроме того, благодаря увеличению диаметра пластины SiC-приборов, эта, прежде экзотическая и дорогостоящая технология, стала более доступной.

Компания Infineon недавно выпустила третье поколение (3G) SiC диодов Шоттки. Диоды из семейства 3G thinQ!^TM характеризуются рекордно-низкой емкостью в любом из номиналов тока. Это создает предпосылки для дальнейшего повышения общесистемной эффективности, особенно при работе на повышенных частотах и при малых токах нагрузки. Помимо повышения рабочей частоты и плотности мощности, контроллер предъявляет менее жесткие требования к системе охлаждения, что способствует снижению себестоимости системы.

Наконец, компания Infineon предлагает самый обширный в промышленности ассортимент SiC диодов Шоттки, в который входят исполнения не только в корпусе TO-220 (истинная 2-выводная версия), но также в корпусе DPAK для устройств с поверхностным монтажом и высокой плотностью мощности.

Список продуктов

DPAK (TO-252)

TO-220 (2 вывода)

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Обзор SiC-диодов Шоттки третьего поколения thinQ! 3G (англ.)