Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.

Изготовленное с учетом требований заказчиков новое семейство IGBT-транзисторов HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В предназначено для высокочастотных приложений с топологией как жесткого так и мягкого переключения, требуемых в оптимизированных силовых ключах.

Так как рассеиваемая мощность и эффективность являются ключевыми параметрами в обеих топологиях, оптимизация IGBT является решающим способом достижения требуемых параметров. Данные транзисторы отлично подходит для применений, где требуется частота переключений выше 20 кГц. При таких скоростях потери на проводимость незначительны, и величина «токового хвоста» (когда транзистор уже закрыт по входу, но рабочий ток все еще протекает) очень мала. Все это явилось результатом многогранной оптимизации потерь при переключениях.

Исполнение, в котором эмиттерный диод четвертого поколения интегрирован с быстрым IGBT-транзистором, обеспечивает наивысшую надежность, функциональность и оптимальный баланс между потерями проводимости и переключения.

Новое семейство 1200-вольтовых IGBT оптимизировано для работы в составе высокочастотных преобразователей солнечной энергии, бесперебойных источников питания и сварочных аппаратов, предлагая наивысшие энергетические характеристики и производительность.

Сравнительная диаграмма IGBT-транзисторов семейства HighSpeed3 и двух основных конкурентов при 150°С

Отличительные особенности

• Компактная схема и минимальные размеры радиатора
• Оптимизированный диод снижает рассеяние мощности, когда не требуется реактивная мощность
• Интеллектуальный режим переключения

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Руководство по применению IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)

Краткое описание IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)