Новые силовые MOSFET-транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполенные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твердотельного освещения.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET-транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и легкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.

Отличительные особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Минимальное значение запасённой энергии в выходной ёмкости транзистора (EOSS) при напряжении сток-исток 400 В
  • Низкий заряд затвора (Qg)
  • Высокая эффективность технологии CoolMOS™, проверенная временем

Область применения:

  • Светодиодное освещение

Преимущества:

  • Высокая эффективность и плотность мощности
  • Высокая надежность
  • Легкость применения
  • Превосходное соотношение цена/производительность

 

RDS(ON) [мОм] DPAK (TO-252) IPAK (TO-251)
2800 IPD80R2K8CE IPU80R2K8CE
1400 IPD80R1K4CE IPU80R1K4CE
1000 IPD80R1K0CE IPU80R1K0CE

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Каталог MOSFET-транзисторов CoolMOS™ компании Infineon (англ.)