Самое низкое значение сопротивления открытого канала, высокая плотность мощности и КПД

Данные MOSFET-транзисторы являются низковольтными мощными приборами с сопротивлением открытого канала до 2 мОм, выпускаемыми в безвыводных корпусах TO и выводных корпусах TO-220.

Обладая улучшенной на 30% добротностью (QG x RDS(ON)) и превосходными характеристиками переключения, данное семейство MOSFET-транзисторов обеспечивает высокую плотность мощности и КПД системы, особенно при использовании в легких транспортных средствах на электрической тяге, где требуется продолжительное время работы от аккумулятора, увеличение срока его службы и уменьшение времени его зарядки. Технология OptiMOS™ является наилучшим решением для миниатюризации систем, так как позволяет достичь высоких значений КПД при компактных размерах транзистора.

Наименование VDS
(В)		 RDS(ON)
(мОм)		 Корпус
BSB056N10NN3 G 100 5.6 CanPAK M
BSF134N10NJ3 G 100 13.4 CanPAK S
IPB027N10N3 G 100 2.7 D2PAK
IPB025N10N3 G 100 2.5 D2PAK 7
IPP023N10N5 G 100 2.3 TO-220
IPA030N10N3 G 100 3.0 TO-220FP
BSC046N10NS3 G 100 4.6 SuperSO8
BSZ097N10NS5 100 9.7 S308
IPT020N10N3 100 2.0 TO-Leadless

Отличительные особенности:

  • Превосходные характеристики переключения
  • Самое низкое в мире сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Очень низкое значение заряда затвора QG и QGD
  • Улучшенное на 30% значение добротности (QG x RDS(ON))

Преимущества:

  • Высочайшая плотность мощности
  • Уменьшение необходимого количества параллельно включаемых транзисторов для увеличения нагрузочного тока
  • Самая малая монтажная площадь
  • Лёгко применимый для проектирования продукт

Область применения:

  • AC/DC инверторы
  • Местная вытяжная вентиляция (LEV)
  • Адаптеры питания
  • Потребительская электроника
  • Преобразователи постоянного напряжения
  • Схемы управления двигателем
  • Мощные инструменты
  • Импульсные источники питания
  • Солнечная энергетика
  • Телекоммуникации

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку