Новое поколение силовых MOSFET-транзисторов с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала

Компания Infineon расширяет семейство MOSFET-транзисторов OptiMOS™ 5 устройствами с рабочим напряжением сток-исток 80 В и 100 В.

Новейшее поколение MOSFET-транзисторов, оптимизированных для использования в преобразователях напряжения с высокими рабочими частотами, особенно в схемах с синхронным режимом выпрямления. Устройства подходят для применения в источниках питания систем телекоммуникаций и серверов, а также в промышленных приложениях, таких как солнечные инверторы, низковольтные драйверы и сетевые адаптеры.

Новые транзисторы OptiMOS™ 5 обладают очень низким сопротивлением открытого канала (R_DS(ON)): для транзисторов с напряжением сток-исток 80 В оно снижено на 45%, а для транзисторов с напряжением сток-исток 100 В – на 24% по сравнению с предыдущими поколениями. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала отсутствует необходимость параллельного включения нескольких транзисторов для поддержания более высоких токов нагрузки, что значительно уменьшает стоимость конечного продукта. Кроме того, новые устройства имеют очень высокий уровень плотности мощности и КПД.

По сравнению с предыдущим поколением приборов, транзисторы OptiMOS™5 с напряжением сток-исток 80 В обладают на 38%, а с напряжением сток-исток 100 В – на 25% меньшим выходным зарядом. Меньший выходной заряд сокращает потери на переключение и снижает скачки напряжения в схемах с жестким режимом переключения, а также в схемах с синхронным режимом выпрямления. Это способствует уменьшению времени и затрат на разработку новых устройств. Кроме того, уменьшение заряда затвора на 24% для версии 80 В и на 29% для версии 100 В приводит к снижению потерь на переключение, особенно в режимах малой нагрузки. Это позволяет сохранить высокий КПД схемы во всём диапазоне токов нагрузки в таких приложениях, как микроинверторы и солнечные инверторы.

Ключевые преимущества:

• Очень высокий КПД
• Сниженные потери проводимости и на переключение
• Требуется меньшее число параллельно включенных транзисторов для поддержания более высоких токов нагрузки
• Увеличенная плотность мощности
• Снижает скачки напряжения на 5 В

Транзисторы семейства OptiMOS™5 с напряжением сток-исток 80 В и 100 В выпускаются в семи различных корпусах: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK и 7-выводном D²PAK с величиной R_DS(ON) 1-4 мОм, 4-8 мОм и 8-12 мОм для версии 80 В и 1-4 мОм, 4-8 мОм и 8-10 мОм для версии 100 В. Образцы транзисторов всех перечисленных вариантов напряжения и корпусов в настоящее время доступны для заказа.

Отличительные особенности:

• Транзистор оптимизирован для режима синхронного выпрямления
• Идеально подходит для преобразователей с высокими рабочими частотами
• Выходная ёмкость улучшена на 44%
• Остаточное сопротивление открытого канала R_DS(ON) снижено на 43% по сравнению с предыдущими поколениями транзисторов

Область применения:

• Телекоммуникации
• Серверы
• Солнечные инверторы
• Низковольтные драйверы
• Сетевые адаптеры

Инструментальные средства:

• Оценочная плата транзистора в безвыводном корпусе TO мощностью 5 кВт
  Оценочная плата мощностью 5 кВт демонстрирует производительность семейства силовых MOSFET-транзисторов OptiMOS™ от компании Infineon, поставляемых в безвыводном корпусе TO. Пользователь сможет оценить преимущества транзисторов при параллельном их включении, а также тепловое поведение приборов, благодаря которым устройства успешно применяются в инверторных каскадах схем управления двигателями высокой мощности.
• Ключевые параметры:
  • Инвертор на шести силовых ключах (B6)
  • Входное постоянное напряжение: 48 В
  • Постоянный выходной ток: до 100 А
  • Размеры платы: 102 мм x 139 мм
• Компоненты, установленные на плате:
  • Инверторная схема управления двигателем с использованием 30 транзисторов семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO (IPT020N10N)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о MOSFET-транзисторах OptiMOS™ 5 на сайте Infineon