Новое семейство IGBT-транзисторов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой специально разработано для работы на низких частотах переключения от 50 Гц до 20 кГц.

Новый класс IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения VCE(sat) можно встретить в источниках бесперебойного питания, солнечных инверторах и сварочных системах. Семейству приборов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой свойственны очень низкие потери на переключение, которые были дополнительно снижены за счёт оптимизации несущего профиля. При типовом значении напряжения VCE(sat) = 1.05 В при температуре 25°C новые транзисторы позволяют увеличить КПД схемы на 0.1% в топологии NPC 1 и на 0.3% в топологии NPC 2 по сравнению с предыдущим поколением IGBT-транзисторов серии TRENCHSTOP. За счёт положительного температурного коэффициента напряжения VCE(sat) высокое значение КПД сохраняется на одном уровне, что является образцовым промышленным показателем для ключей на IGBT-транзисторах, работающих на частотах ниже 20 кГц.

Использование при производстве семейства L5 технологии TRENCHSTOP 5 приводит к несравнимо более низким потерям проводимости, а также уменьшает общие потери на переключение до величины 1.6 мДж при температуре 25°C. Первые транзисторы семейства L5 выпускались в 3-выводном корпусе промышленного стандарта TO-247. В дальнейшем для приложений с повышенными требованиями к КПД компания Infineon предложила эти приборы в 4-выводном корпусе TO-247 с Кельвин-эмиттер. Последние отличаются сниженными на 20% потерями на переключение.

Типовая схема включения IGBT-транзисторов семейства L5 TRENCHSTOP™ 5

Отличительные особенности:

  • Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
  • Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
  • Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
  • Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
  • Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
  • Увеличенный срок службы и высокая надёжность
  • Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора

Область применения:

  • Источники бесперебойного питания, выполненные по топологии NPC1 и NPC2
  • Солнечные инверторы модифицированной топологии HERIC
  • Сварочные аппараты с переменным выходным напряжением (сварочный инвертор с электродами из алюминий-марганцевой проволки AL/MG)
Корпус TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247-4
Наименование IKW30N65EL5 IKW30N65NL5 IGW30N65L5 IKW75N65EL5 IKZ75N65EL5
IC
(А)		 30 30 30 75 75
VCE(sat)
(В)		 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05
VBR
(В)		 650 650 650 650 650
QG
(нК)		 168 168 168 436 436
EON
(мДж)		 0.47 0.56 0.47 1.61 1.57
EOFF
(мДж)		 1.35 1.35 1.35 3.20 3.20

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку