Транзисторы отлично подходят для устройств с питанием от аккумуляторной батареи и схем управления коллекторными и бесколлекторными двигателями постоянного тока, которые используются в мощных инструментах, легких электромобилях и электровелосипедах, где необходима высокая энергоэффективность.

Новая архитектура устройства, с увеличенной контактной площадкой истока, обеспечивает снижение теплового сопротивления между транзистором и печатной платой и дает возможность масштабировать схему решения в соответствии с требованиями конкретного приложения.

Наименование Корпус Типоразмер VDS
(В)		 RDS(ON)
(мОм)
тип./макс.
@ 10 В		 ID
(А)		 QG
(нКл)
IRF7480MTRPBF Medium Can
DirectFET™		 ME 40 0.9 / 1.2 217 123
IRF7483MTRPBF Medium Can
DirectFET™		 MF 40 1.7 / 2.3 135 81
IRF60DM206 Medium Can
DirectFET™		 ME 60 2.2 / 2.9 130 133
IRF7580MTRPBF Medium Can
DirectFET™		 ME 60 2.9 / 3.6 114 120
IRF7780MTRPBF Medium Can
DirectFET™		 ME 75 4.5 / 5.7 89 124

 

Отличительные особенности:

  • Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Большой рабочий ток
  • Высоконадежный кремниевый кристалл
  • Улучшенные параметры затвора, лавинного пробоя и крутизны динамической характеристики dv/dt
  • Сниженное тепловое сопротивление между выводами корпуса и печатной платой
  • Высокая плотность тока
  • Масштабируемость схемы
  • Соответствуют требованиям директивы RoHS

Преимущества угловой площадки затвора:

  • Меньшее сопротивление между корпусом транзистора и печатной платой
  • Значительно большая площадь пайки вывода истока по сравнению с типовыми размерами для корпусов DirectFET™
  • Увеличенная крутизна характеристик dv/dt и di/dt паразитного диода
  • Оптимальное значение сопротивления открытого канала RDS(ON) для достижения минимальных потерь на переключение

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку