Nymonix: M29W256 — первая быстродействующая NOR FLASH память нового семейства Axcell™ M29W/DW

Автор: admin

23 Сен

Микросхемы FLASH памяти семейства Axcell M29W отличаются сверхмалым временем выборки и программирования. M29W256, с организацией 16 Мбит x 16 или 32 Мбит x 8, является первым представителем семейства FLASH памяти M29W объемом от 4 до 256 Мбит.

Благодаря использованию одновременно асимметричной и симметричной архитектур блоков, ИС FLASH памяти M29W/DW предлагают более высокую гибкость хранения кода программы. Массив памяти с асимметричной архитектурой блоков содержит загрузочный блок (для соответствия различным микропроцессорам его можно разместить в начале или в конце адресного пространства), блок параметров и главный блок. В симметричной архитектуре все блоки имеют одинаковый размер.

Для сохранения действительных данных во время стирания устаревшей информации предусмотрено независимое стирание блоков. Каждый блок характеризуется износостойкостью до 100 тыс. циклов программирования/стирания и 20-летним хранением данных.

ИС семейства Axcell M29W доступны в автомобильных исполнениях (относится к памяти объемом от 4 до 128 Мбит) с рабочими температурными диапазонами –40…+125°C и –40…+85°C. Они сертифицированы на соответствие стандарту AEC-Q100 и полностью поддерживают PPAP в автомобильных применениях с 16-битными шинами данных (например, системы телематики). Устройства FLASH памяти автомобильного назначения разработаны с учетом совместной работы с низковольтным (2.5/3.3В) интерфейсом микроконтроллеров в жестких условиях окружающей среды (–40…+125°C).

ИС семейства M29DW отличаются гибкими возможностями чтения во время записи/стирания, что позволяет считывать данные из одного банка или группы банков одновременно с записью или стиранием остальных банков памяти.

Рекомендации по выбору FLASH памяти M29 объемом 256 Мбит:

M29W SLC (одноуровневые ячейки памяти) для устройств, где требуется высокая скорость выборки и программирования
M29EW MLC (многоуровневые ячейки памяти) для устройств, где требуется масштабирование объема памяти до 2 Гбит и где требуется использование функции Krypto® для защиты паролем операций чтения

Отличительные особенности:

Напряжение питания 2.7…3.6 В для операций записи/чтения/стирания
Асинхронный режим произвольного/постраничного чтения
- Размер страницы: 8 слов иди 16 байт
- Доступ к странице: 25, 30 нс
- Произвольный доступ: 60 нс (только запрос пользователя) или 70, 80 нс
Стандартный интерфейс FLASH памяти (Common Flash Interface — CFI)
- 64-битный код защиты
Аппаратная защита
- Возможность защитить верхний или нижний блок памяти
Три различных режима программной защиты
- Энергозависимая защита
- Энергонезависимая защита
- Защита паролем
Автомобильное исполнение устройств:
- Диапазон рабочих температур: -40…+85°C (сертифицировано на соответствии автомобильным требованиям)
Корпуса отвечают требованиям RoHS
- TSOP-56: 14 х 20 мм
- TBGA-64: 10 х 13 мм, шаг выводов 1 мм
- LBGA-64: 11 х 13 мм, шаг выводов 1 мм