Девять новых MOSFET-транзисторов Trench 6: первые в мире транзисторы в корпусе типоразмера Power-SO8 с сопротивлением менее 1 мОм при 25 В

Компания NXP первой представила ассортимент MOSFET-транзисторов Trench 6 в так называемом "корпусе без потерь" LFPAK. Благодаря объединению кристалла Trench 6 и высококачественного корпуса LFPAK, новые транзисторы несут в себе множество преимуществ, касающихся рабочих характеристик и надежности.

Полупроводниковая технология Trench 6 позволила компании NXP добиться рекордно-низких значений RDS(ON): типовое значение 0.9 мОм при напряжении VGS = 10 В (PSMN1R2-25YL). Эти новые транзисторы идеальны для использования в широком числе требовательных применений, в т.ч. схемы объединения по ИЛИ силовых цепей, управления двигателями и высокоэффективные понижающие стабилизаторы с синхронным выпрямлением.

Помимо пониженных значений RDS(ON) относительно предшествующих полупроводниковых технологий, технология Trench 6 также обеспечивает понижение заряда затвора (QG) и низкое значение сопротивления цепи затвора (RG), что делает транзисторы идеальными для построения высокоэффективных силовых коммутаторов, работающих на частотах до 1 МГц.

Разработанный компанией NXP корпус для поверхностного монтажа LFPAK обеспечивает высокую плотность мощности. Он обладает отличными электрическими и тепловыми сопротивлениями, а также малой индуктивностью корпуса и совместим с посадочным местом стандартного корпуса SO8.

Корпус LFPAK совместим с процедурами автоматизированного оптического контроля и ручного контроля, что выделяет его на фоне многих других альтернативных корпусов типоразмера Power-SO8, которые в обязательном порядке требуют использования рентген контроля.

Объединенные в одно решение, кристалл Trench 6 и корпус LFPAK дают возможность повысить эффективность в рабочем режиме, улучшить токовые характеристики, повысить плотность мощности и улучшить тепловые режимы на печатной плате, что важно для высококачественных силовых каскадов современной электроники.

Отличительные особенности

  • Первый в мире MOSFET-транзистор на 25 В с сопротивлением <1 мОм(1) в формфакторе Power-SO8
  • MOSFET-транзистор на 30 В(2) с самым низким сопротивлением открытого канала
  • Единственные транзисторы в формфакторе Power-SO8 с рабочей температурой до +175°C
  • Единственный корпус типоразмера Power-SO8, сертифицированный по AEC-Q101
  • Корпус LFPAK с рабочим током ID до 100 А (макс)
  • Допускается визуальный контроль монтажа (в отличие от большинства устройств в корпусе Power-SO8, требующих рентген контроль
  • Протестированы на лавинный пробой
  • Отвечают требованиям RoHS и не содержат галогенов
  • Также доступны в корпусах SOT669 и SOT1023

(1) PSMN1R2-25YL: RDS(ON)(тип.) = 0.9 мОм и RDS(ON)(макс.) = 1.2 мОм при VGS = 10 В

(2) PSMN1R3-30YL: RDS(ON)(тип.) = 1.06 мОм и RDS(ON)(макс.) = 1.3 мОм при VGS = 10 В

 

Корпус Наименование VDS
В		 RDS(ON)(тип.)
VGS=10В
мОм		 RDS(ON)(макс.)
VGS=10В
мОм
LFPAK PSMN1R2-25YL 25 0.9 1.2
PSMN1R5-25YL 1.13 1.5
PSMN1R3-30YL 30 1.06 1.3
PSMN1R7-30YL 1.29 1.7
PSMN2R0-30YL 1.55 2
PSMN2R5-30YL 1.79 2.4
PSMN3R0-30YL 2.19 3
PSMN3R5-30YL 2.43 3.5
PSMN4R0-30YL 2.72 4
PSMN5R0-30YL 3.63 5
PSMN6R0-30YL 4.26 6
PSMN7R0-30YL 4.92 7
PSMN9R0-30YL 6.16 8
PSMN2R6-40YS 40 2.17 2.75
PSMN4R0-40YS 3.28 4.18
PSMN8R3-40YS 6.79 8.58
PSMN8R2-80YS 80 6.61 8.47
PSMN013-80YS 10 12.84
PSMN026-80YS 21.5 27.54
Новые устройства выделены красным
L — логический уровень / S — стандартный уровень

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница NXP по стандартным MOSFET-транзисторам

Брошюра: Первые в мире 25-вольтовые MOSFET-транзисторы в корпусе Power-SO8 с сопротивлением менее 1 мОм (англ.)

Каталог продукции: Мощные MOSFET-транзисторы компании NXP (англ.)