Установлен новый рекорд по уровню сопротивления открытого канала и поддержанию на абсолютном минимуме задержек коммутации.
Новое поколение BISS-транзисторов с малым V_CE(SAT) выпускаются с двумя вариантами оптимизации рабочих характеристик.

Транзисторы из группы с очень малым напряжением V_CE(SAT) отличаются чрезвычайно малым напряжением насыщения: 50 мВ при токе 1 А, а транзисторы высокого быстродействия обладают малыми задержками коммутации и накопления: до 125 нс. Появление новых транзисторов BISS-4 продемонстрировало, что биполярная технология идеальна для применения в импульсной электронике с высокими рабочими характеристиками и малыми потерями коммутации.

По сравнению со стандартными транзисторами в тех же корпусах, новые транзисторы BISS-4 обеспечивают рост КПД, снижение потерь мощности и тепловыделений. Обладая возможностью работы с постоянным током коллектора 4.3А (в импульсе 8 А) в миниатюрном корпусе SOT23, новые транзисторы удваивают рабочие характеристики предшествующих транзисторов с малым V_CE(SAT) в том же корпусе SOT23. Транзисторы BISS-4 разработаны с учетом применения в качестве коммутаторов нагрузки, в импульсных источниках питания и в каскадах управления электропитанием высокосерийной электроники потребительского, коммуникационного, вычислительного и автомобильного назначений.

Отличительные особенности Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) и высокая скорость коммутации Сверхнизкое напряжение насыщения VCE(SAT): менее 50 мВ при токе 1 А Высокая эффективность Низкая потеря мощности Меньше тепловыделение Компактные корпуса для поверхностного монтажа: SOT23, SOT457, SOT89, SOT223 и SO-8 Сертифицированы по AEC-Q101 Современная технология низкоомной подложки

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Обзор BISS-транзисторов 4-го поколения компании NXP (англ.)

Применение BISS-транзисторов в схемах коммутации нагрузки средней мощности (англ.)