Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
9 Дек
Данный n-канальный силовой MOSFET-транзистор характеризуется напряжением пробоя 600В и сопротивлением открытого канала 0.65 Ом. Малое значение RDS(ON) и высокое быстродействие коммутации способствуют улучшению КПД.
Преимущества
Отличительные особенности
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NDF10N60Z (англ.)
Подпишись на новости! |