Данный n-канальный силовой MOSFET-транзистор характеризуется напряжением пробоя 600В и сопротивлением открытого канала 0.65 Ом. Малое значение RDS(ON) и высокое быстродействие коммутации способствуют улучшению КПД.

Преимущества

  • Повышает КПД
  • Более быстрое включение
  • RoHS-совместимость
  • Надежная работа

Отличительные особенности

  • Низкое сопротивление в открытом состоянии
  • Низкий заряд затвора
  • Затвор с защитным стабилитроном
  • 100% тестирование на лавинный пробой
  • Без содержания свинца (Pb-free), галогенов (Halogen free) и бромированных огнестойких смол (BFR free), отвечает требованиям RoHS

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на NDF10N60Z (англ.)