Серия NTD580xN была разработана для использования в приложениях, где требуются 40-вольтовые транзисторы с пониженным сопротивлением RDS(ON). Благодаря малому RDS(ON), появляется возможность оптимизации КПД и продления ресурса батареи питания. Все транзисторы NTD580xN размещены в корпусе для поверхностного монтажа DPAK, позволяя сэкономить место на плате. Они характеризуются напряжением пробоя 40В, что соответствует требованиям к стойкости к переходным процессам в автомобильной электросети. Семейство соответствует автомобильному стандарту AECQ101.

Преимущества:

  • Улучшает КПД системы
  • Возможность управления затвором малым напряжением
  • Экономия размеров платы
  • Отвечает требованиям RoHS

Наименование Корпус VDSS ID RDS(ON) QG EAS
NTD5802N DPAK 40 В 101 А 5.0 мΩ 37 нКл 240 мДж
NTD5803N DPAK 40 В 50 А 7.4 мΩ 59 нКл 240 мДж
NTD5804N DPAK 40 В 20 А 9.1 мΩ 100 нКл 196 мДж
NTD5805N DPAK 40 В 20 А 14 мΩ 80 нКл 80 мДж
NTD5806N DPAK 40 В 20 А 12.9 мΩ 38 нКл 39 мДж
NTD5807N DPAK 40 В 8 А 20.9 мΩ 20 нКл 29.4 мДж

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница ON Semiconductor по MOSFET-транзисторам серии NTD580xN