Данный N-канальный силовой MOSFET-транзистор рассчитан на напряжение пробоя до 600 В и имеет сопротивление открытого канала 0.65 Ом. Кроме малого сопротивление открытого канала сток-исток RDS(ON), транзистор имеет повышенную скорость переключения, положительно отражающуюся на эффективности работы.

Преимущества применения:

  • Улучшение производительности работы системы
  • Более быстрое время включения
  • Соответствие требованиям RoHS
  • Надежность работы

Пример применения

 

Отличительные особенности

  • Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Малый заряд затвора
  • Не соджержит свинца и галогенов
  • Тестирован на лавинный пробой
Наименование VDSS
(В)		 ID
(А)		 Корпус RDS(ON)
@ 50% ID
(Ом)		 QG
@ ID
(нКл)		 QRR
@ ID
(мкКл)
NDF05N50ZG 500 5 TO-220FP 1.25 18.5 1.25
NDD05N50ZT4G 500 5 DPAK 1.25 18.5 1.25
NDD05N50Z-1G 500 5 IPAK 1.25 18.5 1.25
NDF08N50ZG 500 8 TO-220FP 0.69 31.0 1.85
NDF02N60ZG 600 2 TO-220FP 4 10.1 0.7
NDD02N60ZT4G 600 2 DPAK 4 10.1 0.7
NDD02N60Z-1G 600 2 IPAK 4 10.1 0.7
NDF03N60ZG 600 3 TO-220FP 3.3 12 0.9
NDD03N60ZT4G 600 3 DPAK 3.3 12 0.9
NDD03N60Z-1G 600 3 IPAK 3.3 12 0.9
NDF04N60ZG 600 4 TO-220FP 1.8 19 1.3
NDD04N60ZT4G 600 4 DPAK 1.8 19 1.3
NDD04N60Z-1G 600 4 IPAK 1.8 19 1.3
NDF06N60ZG 600 6 TO-220FP 0.98 31 2
NDF10N60ZG 600 10 TO-220FP 0.65 47 3
NDF04N62ZG 620 4 TO-220FP 1.8 19 1.3
NDF06N62ZG 620 6 TO-220FP 0.98 31 2
NDF10N62ZG 620 10 TO-220FP 0.65 47 3

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку