Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и интегрированным антипараллельным диодом для систем индукционного нагрева, электронного зажигания, фотовспышек, схем управления двигателями и других сильноточных импульсных приложений.

Транзистор изготовлен с применением надёжной и недорогой технологии Field Stop Trench и имеет высокую эффективность, что предопределяет его использование в схемах с жестким режимом коммутации, где он сможет продемонстрировать низкое остаточное напряжение коллектор-эмиттер и низкие потери на переключение. Кроме того, данный транзистор также подходит для применения в резонансных каскадах и схемах с мягким режимом коммутации.

IGBT транзистор NGTB20N135IHR

Отличительные особенности:

  • Отличается малым нагревом корпуса при работе в системах индукционного нагрева
  • Малые потери на переключение снижают рассеивание мощности
  • Высокая проводимость в открытом состоянии за счёт технологии FieldStop
  • Напряжение пробоя: 1350 В (мин.)
  • Ток коллектора:
    • При температуре корпуса TC = 25°C: 40 А
    • При температуре корпуса TC = 100°C: 20 А
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat = 2.2 В (тип.)
  • Прямой ток диода:
    • При температуре корпуса TC = 25°C: 40 А
    • При температуре корпуса TC = 100°C: 20 А
  • Рабочая температура перехода TJ от -40°C до +175°C
  • Надёжное и недорогое однокристальное решение
  • Корпус TO-247 без содержания свинца

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на NGTB20N135IHR (англ.)