Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
3 Апр
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и интегрированным антипараллельным диодом для систем индукционного нагрева, электронного зажигания, фотовспышек, схем управления двигателями и других сильноточных импульсных приложений.
Транзистор изготовлен с применением надёжной и недорогой технологии Field Stop Trench и имеет высокую эффективность, что предопределяет его использование в схемах с жестким режимом коммутации, где он сможет продемонстрировать низкое остаточное напряжение коллектор-эмиттер и низкие потери на переключение. Кроме того, данный транзистор также подходит для применения в резонансных каскадах и схемах с мягким режимом коммутации.
IGBT транзистор NGTB20N135IHR |
Отличительные особенности:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NGTB20N135IHR (англ.)
Подпишись на новости! |