Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
18 Ноя
Новые IGBT-транзисторы выполнены по надежной и недорогой архитектуре Field Stop II Trench, обеспечивающей высокую производительность в требовательных схемах коммутации за счёт низкого остаточного сопротивления и минимальных потерь на переключение.
Ниже перечислены параметры IGBT-транзисторов, одинаково хорошо подходящих для бесперебойных источников питания, солнечных инверторов и схем управления электродвигателями. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с малым падением прямого напряжения. Приборы серии L2 специально разработаны для схем управления двигателями, но также отлично подойдут для применения в сварочных аппаратах.
Серия L2
Наименование | VCES (В) |
ID (А) |
TSC (мкс) |
---|---|---|---|
NGTB30N120L2WG | 1200 | 30 | 10 |
NGTB50N60L2WG | 600 | 50 | 5 |
NGTB40N60L2WG | 600 | 40 | 5 |
Серия LF2
Наименование | VCES (В) |
ID (А) |
TSC (мкс) |
---|---|---|---|
NGTB75N60FL2WG | 600 | 75 | 5 |
NGTB50N60FL2WG | 600 | 50 | 5 |
NGTB40N60FL2WG | 600 | 40 | 5 |
NGTB35N60FL2WG | 600 | 30 | 5 |
NGTB75N65FL2WG | 650 | 75 | 5 |
NGTB50N65FL2WG | 650 | 50 | 5 |
NGTB40N65FL2WG | 650 | 40 | 5 |
NGTB35N65FL2WG | 650 | 30 | 5 |
NGTB50N120FL2WG | 1200 | 50 | 10 |
NGTB40N120FL2WG | 1200 | 40 | 10 |
NGTG40N120FL2WG | 1200 | 40 | 10 |
NGTB30N120FL2WG | 1200 | 30 | 10 |
NGTB25N120FL2WG | 1200 | 25 | 10 |
NGTG25N120FL2WG | 1200 | 25 | 10 |
NGTB15N120FL2WG | 1200 | 15 | 10 |
NGTG15N120FL2WG | 1200 | 15 | 10 |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
IGBT-транзисторы на сайте ON Semiconductor (англ.)
Подпишись на новости! |