Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
23 Дек
Данные транзисторы произведены с использованием фирменной технологии ON Semiconductor Trench, специально разработанной для минимизации заряда затвора и достижения сверхнизкого значения сопротивления открытого канала.
Новые MOSFET-транзисторы подходят для приложений, в которых требуется обеспечить низкий заряд затвора для управления силовым ключом и его низкое сопротивление открытого канала. Примерами таких приложений могут служить схемы защиты аккумуляторов и устройства управления электродвигателем.
MOSFET-транзистор NDPL100N10B |
Отличительные особенности:
Преимущества:
Наименование | VDS (В) |
ID (А) |
RDS(ON) (мОм) |
Корпус |
---|---|---|---|---|
NDBA100N10B | 100 | 100 | 6.9 | D2PAK |
NDBA180N10B | 100 | 180 | 2.8 | D2PAK |
NDPL100N10B | 100 | 100 | 7.2 | TO-220 |
NDPL180N10B | 100 | 180 | 3.0 | TO-220 |
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подпишись на новости! |