Компания ON Semiconductor продолжает совершенствовать техпроцесс изготовления полупроводниковых кристаллов из тонких пластин и технологию имплантации, позволяющие значительно улучшить характеристики IGBT-транзисторов, которые удовлетворяют растущим требованиям энергоэффективности.

Новейшее семейство IGBT-транзисторов Field Stop III предназначено для применения в приложениях с высоким КПД и диапазоном рабочих частот от единиц килогерц до 50 кГц. Транзисторы семейства Field Stop III (FSIII) отличаются повышенной проводимостью и высокими характеристиками коммутации, наряду с превосходными параметрами встречно-параллельного шунтирующего диода, что в совокупности приводит к снижению на 30% потерь на переключение по сравнению с транзисторами предыдущего поколения Field Stop.

Данные транзисторы могут эффективно работать в высокопроизводительных быстродействующих импульсных схемах, таких как источники бесперебойного питания, инверторы возобновляемых источников энергии, системы управления электродвигателями и зарядные устройства.

Первые представители семейства Field Stop III — N120FL3WG и NGTBxxN120L3WG — обеспечивают оптимизированные характеристики переключения и пониженные потери на проводимость и предназначены для промышленных приложений. Высокая надежность конструкции и превосходные параметры открытого состояния транзисторов при больших токах коллектора позволяют достичь высокого КПД схемы и снизить потери.

Компания ON Semiconductor обладает значительным, более 10 лет, опытом производства качественных и надежных IGBT-транзисторов для автомобилестроения в соответствии со стандартом AEC-Q. Так, в 2011 году фирма начала разрабатывать высоковольтные и сильноточные компоненты в соответствии с возрастающими требованиями промышленного и потребительского рынков, которым необходимы высокоэффективные решения. Первая линейка транзисторов на основе технологии Trench Field Stop была выпущена в 2012 году в ответ на конкурирующие технологии. Выход семейства устройств второго поколения FSII позволило компании занять лидирующие позиции на рынке.

IGBT-транзистор NGTB40N120FL3W семейства Field Stop III

 

Наименование VCES
(В)		 IC@100°C
(А)		 VCEsat
(В)		 Ets
(мДж)		 trr
(нс)
NGTB25N120FL3WG 1200 25 1.7 1.7 90
NGTB40N120FL3WG 1200 40 1.7 2.7 86
NGTB40N120L3WG 1200 40 1.55 3 86

 

Отличительные особенности:

  • Сверхэффективный канал проводимости с технологией Field Stop
  • Максимальная температура перехода: TJ(макс.) = 175°C
  • Быстродействующий диод с плавной характеристикой обратного восстановления
  • Структура транзистора оптимизирована для достижения низкого значения напряжения насыщения VCEsat и высокой скорости переключения
  • Корпус транзистора TO−247 не содержит свинца

Область применения:

  • Бесперебойные источники питания (UPS)
  • Зарядные устройства
  • Инверторы для возобновляемых источников энергии
  • Схемы управления двигателем
  • Сварочное оборудование

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на NGTB25N120FL3W (англ.)

Документация на NGTB40N120FL3W (англ.)

Документация на NGTB40N120L3W (англ.)