SIC-диод — диод Шотки с существенно улучшенными рабочими характеристиками за счет использования основания из карбида кремния.

Применение материала с широкой запрещенной зоной позволяет создавать диоды Шотки на напряжение 600В и сделать ничтожными кольцевые межсоединения, свойственные структуре Шотки. Благодаря минимизации емкостного эффекта при отключении и независимости его от температуры, применение SIC-диодов компании STMicroelectronics позволит улучшить характеристики схем коррекции коэффициента мощности, работающих в сложных окружающих условиях импульсных преобразователей.

Карбид-кремниевые структурированные диоды, благодаря улучшенным характеристикам восстановления и прямого падения напряжения, отличаются очень малым динамическим током обратного восстановления, величина которого зависит только от емкости перехода. Более того, данный ток остается стабильным даже при изменении температуры перехода.

У данных диодов, при изменении рабочей температуры перехода с 25°С до 125°С, величина тока IRM удваивается, а значение Qrr возрастает четырехкратно.

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

Документация на STPSC806D
Документация на STPSC1006D