Компания STMicroelectronics представила семейство особо быстродействующих 600-вольтовых HF IGBT-транзисторов, выполненных по новой перспективной планарной технологии PT. Инновационный процесс двойного дрейфа (Double-Drift), основанный на новом профиле легирования, существенно снижает действующее сопротивление в области дрейфа и улучшает динамические характеристики. Примененная компоновка "Advanced Planar Strip Layout" позволила добиться улучшения стабильности и управляемости рабочих характеристик, особенно в области высоких температур.

 

Наименование BVCES
(В)		 IC
@ 100°C
(А)		 VCE(SAT)
(VGE=15В, TJ=125°C)		 EOFF
@ TJ=125°C
(мкДж)		 Rθ
(°C/Вт)		 Корпус
тип.
(В)		 @ IC
(А)
STGW35HF60WD 600 35 1.65 20 350 0.63 TO-247
STGW45HF60WD 600 45 1.7 30 550 0.5 TO-247
Сверхбыстрый встречновключенный диод для топологий с агрессивным процессом коммутации (сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания)
STGW35HF60WDI 600 35 1.65 20 350 0.63 TO-247
STGWA35HF60WDI 600 40 1.65 20 350 0.48 TO-247 LL
STGW45HF60WDI 600 45 1.7 30 550 0.5 TO-247
STGWA45HF60WDI 600 50 1.7 30 550 0.437 TO-247 LL
Встречновключенный диод с малым падением и плавным восстановлением для резонансных, Q-R или с плавной коммутацией топологий (индукционные печи, сварочные аппараты)

 

Семейство ‘HF’ основано на новой перспективной планарной технологии, которая обеспечивает меньшую зависимость коммутационных характеристик (EOFF) IGBT-транзисторов от температуры, а также снижение потерь проводимости. Серию ‘W’ составляет подгруппа транзисторов, предназначенных для работы с высокой рабочей частотой коммутации (свыше 100 кГц).

Отличительные особенности

  • Рабочая частота выше 100 кГц
  • Улучшенная характеристика EOFF при повышенной температуре
  • Минимальный хвостовой ток
  • Малые потери коммутации и проводимости
  • Встречновключенный диод, в зависимости от топологии:
    • сверхскоростной (маркируется D) с агрессивным процессом коммутации (сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания)
    • с малым падением и плавным восстановлением (маркируется DI) для резонансных, квыазирезонансных или с плавной коммутацией топологий (индукционные печи, сварочные аппараты)
  • Меньшее температурное сопротивление (у корпуса TO-247 LL по сравнению с TO-247)

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на STGW35HF60WD (англ.)

Документация на STGW35HF60WDI (англ.)

Документация на STGW45HF60WD (англ.)

Документация на STGW45HF60WDI (англ.)

Каталог IGBT транзисторов компании STMicroelectronics (англ.)