Этот карбид-кремниевый MOSFET-транзистор произведён на основе улучшенных материалов с инновационными свойствами широкой запрещённой зоны.

Транзистор характеризуется слабой зависимостью остаточного сопротивления канала и потерь переключения от температуры. Уникальные термические свойства карбида кремния и запатентованный корпус типа HiP247™ позволят разработчикам создавать устройства, соответствующие промышленному стандарту, но при этом обладающие повышенной термостойкостью. За счёт применения данного транзистора эти устройства будут иметь высокие КПД и плотность мощности.

Силовой SiC MOSFET-транзистор SCT30N120

Отличительные особенности:

  • Слабое изменение сопротивления открытого канала и потерь на переключение от температуры
  • Максимальная рабочая температура перехода TJ: 200°C
  • Малая паразитная ёмкость

Область применения:

  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания
  • Схемы управления двигателями
  • Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SCT30N120 (англ.)