Данный транзистор произведен с использованием улучшенных инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной. Он характеризуется непревзойденным значением сопротивления открытого канала и великолепными параметрами переключения, практически независимыми от температуры.

Выдающиеся тепловые свойства карбида кремния и фирменный корпус HiP247™ позволяют создавать продукты промышленного стандарта с улучшенными тепловыми параметрами. Благодаря этому SCT10N120 идеально подходит для применения в приложениях с высокими КПД и плотностью мощности.

Силовой MOSFET-транзистор SCT10N120

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение сток-исток VDSS: 1200 В
  • Максимальный постоянный ток стока ID: 10 А (при температура корпуса TC +100°C); 12 А (при температура корпуса TC +25°C)
  • Напряжение затвор-исток VGS: от -10 В до 25 В
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON): 520 мОм (тип.) при температуре перехода TJ = 100°C
  • Заряд затвора QG: 22 нКл (тип.)
  • Малое изменение сопротивления открытого канала RDS(ON) от температуры
  • Слабая зависимость потерь переключения от температуры
  • Сверхбыстродействующий и надежный внутренний диод на подложке
  • Низкая емкость
  • Чрезвычайно широкий рабочий диапазон температур перехода TJ: от -55°C до +200°C
  • Корпус HiP247™

Область применения:

  • Инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания
  • Схемы управления электродвигателями
  • Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SCT10N120 (англ.)