Силовой полумостовой блок MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии NexFETTM для построения синхронных понижающих преобразователей

Максимум эффективности, максимум частоты и плотности мощности в габаритах, вдвое меньших дискретного MOSFET-транзистора.

Выполненный по технологии NexFETTM, силовой блок CSD86350Q5D оптимизирован для применения в составе синхронных понижающих преобразователей с высокими выходными токами, работающих на больших частотах с максимальным КПД. Блок выполнен в малогабаритном корпусе с размерами 5 мм х 6 мм. Будучи предназначенным для приложений с управляющим напряжением затвора 5 В, данный продукт является гибким решением, способным обеспечить высокую плотность мощности при 5-вольтовом парном управлении затворами от внешнего контроллера/драйвера.

 

Типовая схема включения CSD86350Q5D

 

Отличительные особенности

  • Полумостовой силовой блок
  • Системная эффективность: 90% при токе 25 А
  • Максимальный рабочий ток: 40 А
  • Работа на высокой частоте до 1.5 МГц
  • Компактный корпус SON размером 5 х 6 мм
  • Оптимизирован для работы с 5-вольтовым драйвером затвора
  • Малые потери коммутации
  • Корпус со сверхнизкой индуктивностью
  • Не содержит галогенов
  • Бессвинцовое покрытие выводов

 

Диаграмма эффективности и потерь мощности силового блока

 

Область применения

  • Синхронные понижающие конвертеры
  • Высокочастотные приложения
  • Сильноточные приложения с малым коэффициентом заполнения
  • Многофазные синхронные понижающие конвертеры
  • DC/DC-конвертеры типа Point-Of-Load
  • Модули питания процессорных платформ IMPV

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на CSD86350Q5D (англ.)

Справочное руководство по силовым MOSFET-транзисторам NexFET (англ.)