Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
9 Дек
Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.
Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости.
В дальнейшем планируется расширение данного семейства транзисторами с током стока до 50А при сопротивлении открытого канала всего лишь 65 мОм.
Наименование | Корпус | VDSS | ID | RDS(ON) | QG |
TK20J60U | TO-3P | 600 В | 20 А | 0.19 Ω | 27 нКл |
TK20A60U | TO-220SIS | 600 В | 20 А | 0.19 Ω | 27 нКл |
TK20D60U | TO-220W | 600 В | 20 А | 0.19 Ω | 27 нКл |
TK20X60U | TFP | 600 В | 20 А | 0.19 Ω | 27 нКл |
TK15J60U | TO-3P | 600 В | 15 А | 0.3 Ω | 17 нКл |
TK15A60U | TO-220SIS | 600 В | 15 А | 0.3 Ω | 17 нКл |
TK15D60U | TO-220W | 600 В | 15 А | 0.3 Ω | 17 нКл |
TK15X60U | TFP | 600 В | 15 А | 0.3 Ω | 17 нКл |
TK12J60U | TO-3P | 600 В | 12 А | 0.4 Ω | 14 нКл |
TK12A60U | TO-220SIS | 600 В | 12 А | 0.4 Ω | 14 нКл |
TK12D60U | TO-220W | 600 В | 12 А | 0.4 Ω | 14 нКл |
TK12X60U | TFP | 600 В | 12 А | 0.4 Ω | 14 нКл |
Отличительные особенности
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подпишись на новости! |